[发明专利]一种探测面板及探测装置有效
申请号: | 201810772620.5 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN108962928B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 梁魁;林家强;刘晓惠;段立业;张春倩;侯孟军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 贾莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测 面板 装置 | ||
本申请的一些实施例提供一种探测面板及探测装置,涉及探测技术领域,用于解决探测装置制作工艺复杂的问题。该探测面板包括衬底基板、依次位于衬底基板上的光电转换层、第一绝缘层;探测面板还包括多个叉指电极;叉指电极位于第一绝缘层远离衬底基板一侧的表面上。
技术领域
本发明涉及探测技术领域,尤其涉及一种探测面板及探测装置。
背景技术
探测技术,例如X射线探测技术广泛应用于医疗、安全、无损检测、科研等领域。X射线探测技术已经能够将待探测的X射线信号转换为能够直接显示在屏幕上的图像或照片。
目前,采用X射线探测技术的探测装置通常采用PIN二极管作为感光元件,以实现光电转换。然而,上述PIN二极管在制作过程中需要进行离子掺杂,例如P型离子掺杂,使得制作工艺复杂。
发明内容
本发明的实施例提供一种探测面板及探测装置,用于解决探测装置制作工艺复杂的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本申请的一方面,提供一种探测面板,该探测面板包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的光电转换层、第一绝缘层;所述探测面板还包括多个叉指电极;所述叉指电极位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的表面上。
在本申请的一些实施例中,所述探测面板还包括覆盖所述叉指电极的第二绝缘层,以及位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧表面的多个开关晶体管;每个所述开关晶体管的第一极与一个所述叉指电极电连接。
在本申请的一些实施例中,所述探测面板包括多条读取信号线和选通信号线,所述读取信号线与所述选通信号线交叉界定多个检测单元;每个所述检测单元内设置有一个所述叉指电极和一个所述开关晶体管;所述开关晶体管的栅极与所述选通信号线电连接,第二极与所述读取信号线电连接。
在本申请的一些实施例中,所述叉指电极包括梳状的感应子电极和梳妆的偏压子电极;所述感应子电极与所述偏压子电极交叉设置;所述开关晶体管的第一极与一个所述感应子电极电连接。
在本申请的一些实施例中,所述第二绝缘层上设置有第一过孔,所述开关晶体管的第一极通过所述第一过孔与所述感应子电极电连接。
在本申请的一些实施例中,所述开关晶体管为底栅型薄膜晶体管;所述开关晶体管的栅极与第一极之间设置有栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上设置有第二过孔,所述开关晶体管的第一极依次通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述感应子电极电连接。
在本申请的一些实施例中,所述衬底基板为光波导玻璃基板。
在本申请的一些实施例中,构成所述第一绝缘层的材料包括聚酰亚胺;构成所述第二绝缘层的材料为光阻材料。
在本申请的一些实施例中,所述探测面板还包括用于将非可见光转换为可见光的波长转换层;所述波长转换层位于所述衬底基板远离所述第一绝缘层的一侧表面。
本申请的另一方面,提供一种探测装置,包括如上所述的任意一种探测面板。
由上述可知,本申请实施例提供的探测面板中采用光电转化层作为实现光电转化的感光部件,因此在上述探测面板中无需设置PIN二极管进行光电转化,从而可以在探测面板的制作过程中,无需在制作感光部件的过程中进行离子掺杂的工艺,从而可以简化制作工艺,降低制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请的一些实施例提供的一种探测面板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的