[发明专利]一种OLED基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201810772090.4 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN108987595A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 李海旭;曹占锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 源层 衬底基板 第一电极 显示装置 发光层 有机电致发光器件 晶体管特性 依次设置 影响薄膜 遮光层 光层
【说明书】:

发明实施例提供一种OLED基板及显示装置,涉及显示技术领域,可解决现有的有机电致发光器件中发光层发出的光射到有源层上,影响薄膜晶体管特性的问题。该OLED基板包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层;所述薄膜晶体管包括有源层;所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。用于避免薄膜晶体管受到发光层发出光的影响。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED基板及显示装置。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Electro-luminescent Display,简称OLED)因具有自发光、工作电压低、轻薄、可柔性化以及色彩饱和度高等诸多优点,在显示、照明等领域得到广泛的应用。

其中,有机电致发光器件的制作过程包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,简称TFT),在薄膜晶体管上形成依次形成阳极、像素界定层、发光层以及阴极,其中,阳极与薄膜晶体管的漏极电连接。

然而,由于发光层发出的光中部分光经过有机电致发光器件中膜层的折射与反射后会射到薄膜晶体管的有源层上,从而会影响薄膜晶体管的特性,造成薄膜晶体管阈值电压(Vth)的不稳定和关态电流(Ioff)的增加,影响发光效果。尤其是现有的低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,简称LTPS)薄膜晶体管,由于低温多晶硅对光非常敏感,发光层发出的光射到低温多晶硅层会引起光生电子产生,从而会显著影响薄膜晶体管的特性。

发明内容

本发明的实施例提供一种OLED基板及显示装置,可解决现有的有机电致发光器件中发光层发出的光射到有源层上,影响薄膜晶体管特性的问题。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一方面,提供一种OLED基板,包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层;所述薄膜晶体管包括有源层;所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。

优选的,所述遮光层的材料包括非晶硅;所述OLED基板还包括设置在所述遮光层两侧、且与所述遮光层接触的侧边层;所述侧边层的材料为绝缘材料。

优选的,所述遮光层的材料还包括掺杂在所述非晶硅中的硫。

进一步优选的,所述硫的质量占所述遮光层材料的总质量的0.5%~5%。

优选的,所述遮光层靠近所述发光层的一侧包括多个凹陷部。

进一步优选的,沿所述OLED基板的厚度方向截取所述遮光层后得到的所述凹陷部的截面形状为三角形。

优选的,所述凹陷部穿透所述遮光层或未穿透所述遮光层。

优选的,所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述发光层一侧的绝缘层;所述OLED基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦层;其中,所述遮光层与所述绝缘层或所述平坦层共用。

优选的,所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述发光层一侧的绝缘层;所述OLED基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦层;其中,所述遮光层和两个所述侧边层与所述绝缘层或所述平坦层共用。

另一方面,提供一种显示装置,包括上述的OLED基板。

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