[发明专利]一种OLED基板及显示装置在审
| 申请号： | 201810772090.4 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108987595A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李海旭;曹占锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 源层 衬底基板 第一电极 显示装置 发光层 有机电致发光器件 晶体管特性 依次设置 影响薄膜 遮光层 光层 | ||
1.一种OLED基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层；所述薄膜晶体管包括有源层；其特征在于，所述OLED基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层。
2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述遮光层的材料包括非晶硅；
所述OLED基板还包括设置在所述遮光层两侧、且与所述遮光层接触的侧边层；所述侧边层的材料为绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的OLED基板，其特征在于，所述遮光层的材料还包括掺杂在所述非晶硅中的硫。
4.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述硫的质量占所述遮光层材料的总质量的0.5％～5％。
5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED基板，其特征在于，所述遮光层靠近所述发光层的一侧包括多个凹陷部。
6.根据权利要求5所述的OLED基板，其特征在于，沿所述OLED基板的厚度方向截取所述遮光层后得到的所述凹陷部的截面形状为三角形。
7.根据权利要求5所述的OLED基板，其特征在于，所述凹陷部穿透所述遮光层或未穿透所述遮光层。
8.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述发光层一侧的绝缘层；所述OLED基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦层；
其中，所述遮光层与所述绝缘层或所述平坦层共用。
9.根据权利要求2所述的OLED基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层靠近所述发光层一侧的绝缘层；所述OLED基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦层；
其中，所述遮光层和两个所述侧边层与所述绝缘层或所述平坦层共用。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的OLED基板。
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