[发明专利]具有微型识别标记的半导体晶圆及其制造方法

说明书

本发明的实施例提供了具有微型识别标记的半导体晶圆及其制造方法。晶圆包括具有第一中心的第一面和具有第二中心的第二面。第一中心和第二中心中的每一个均布置在穿过第一面和第二面的中心轴线上。第一面和第二面在圆周边缘处彼此邻接。对准凹口设置为沿着圆周边缘，并且从圆周边缘向内延伸了对准凹口径向距离。对准凹口径向距离小于从第一中心到圆周边缘测量的晶圆半径。管芯区域包括排列成行和列的管芯阵列，并且管芯区域由没有管芯的无管芯区域圆周地界定。将包括字符串的第一识别标记完全地布置在位于对准凹口的第一侧的无管芯区域中。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及具有微型识别标记的半导体晶圆及其制造方法。

背景技术

半导体制造设施(代工厂)是制造集成芯片的工厂。通过对半导体晶圆实施多个工艺步骤(例如，蚀刻步骤、图案化步骤、沉积步骤、注入步骤等)以在半导体晶圆之上和之内形成数百万或数十亿个半导体器件来实现集成芯片的制造。随后切割半导体晶圆以由单个晶圆形成多个集成芯片。半导体代工厂一个月的生产量通常为数万片晶圆。由于工艺变化，不同晶圆的质量可能会有所不同。因此，为了在制造工艺中跟踪晶圆及其相关芯片，在每个晶圆上形成唯一识别晶圆的识别标记。识别标记有助于整个制造和测试工艺中晶圆的可溯性。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体晶圆，包括：第一面，具有第一中心；第二面，具有第二中心，所述第一中心和所述第二中心中的每一个均布置在穿过所述半导体晶圆的所述第一面和所述第二面的中心轴线上，并且所述第一面和所述第二面在圆周边缘处彼此邻接；对准凹口，设置在沿着所述圆周边缘的位置处，所述对准凹口从所述圆周边缘向内延伸了对准凹口径向距离，所述对准凹口径向距离小于从所述第一中心至所述圆周边缘测量的晶圆半径；管芯区域，包括在所述第一面上排列成行和列的管芯阵列，并且所述管芯区域由没有管芯的无管芯区域圆周地界定；以及第一识别标记，包括完全地布置在位于所述对准凹口的第一侧的所述无管芯区域中的字符串。

根据本发明的另一个方面，提供了一种具有圆周边缘的半导体晶圆，包括：管芯区域，包括以行和列布置的管芯阵列，并且所述管芯区域被没有管芯的无管芯区域圆周地界定，其中，基本圆形的管芯区域边缘将所述管芯区域与所述无管芯区域分开；以及对准凹口，设置在沿着所述半导体晶圆的所述圆周边缘的位置处，所述对准凹口从所述圆周边缘向内延伸了对准凹口径向距离；第一识别标记，完全地布置在位于所述对准凹口的第一侧的所述无管芯区域中；以及第二识别标记，完全地布置在位于所述对准凹口的第二侧的所述无管芯区域中。

根据本发明的又一个方面，提供了一种处理半导体晶圆的方法，包括：接收半导体晶圆；在所述半导体晶圆的正面或所述半导体晶圆的正面上方的层上形成第一识别标记；在所述半导体晶圆上方以及所述第一识别标记上方形成至少一个介电层和至少一个导电层；在形成所述至少一个介电层和所述至少一个导电层之后，确定所述第一识别标记是否可读；以及基于所述第一识别标记是否可读，在所述至少一个介电层和所述至少一个导电层中或上方选择性地形成第二识别标记。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的包括识别标记的半导体晶圆的立体图。

图2示出了根据一些实施例的包括识别标记的半导体晶圆的顶视图。

图3示出了根据一些实施例的包括识别标记的半导体晶圆的截面图。

图4示出了根据一些实施例的主要识别标记的顶视图。

图5示出了根据一些实施例的附加识别标记的顶视图。

图6A示出了根据一些实施例的包括识别标记的半导体晶圆的顶视图。