[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，所述沟槽肖特基势垒二极管，包括中部的有源区和环绕有源区的截止区，所述有源区自下而上依次设有阴极金属层(6)、N型衬底层(1)、N型外延层(2)、栅氧化层(3)、肖特基金属层(4)、阳极金属层(5)；所述N型外延层(2)上设有若干沟槽和凸台，所述沟槽和凸台横向间隔设置，在凸台的栅氧化层(3)和阳极金属层(5)之间沉积有3％B和4％P的BPSG缓冲层(7)，在沟槽内填充有磷掺杂导电多晶硅层(8)，其特征在于：沟槽深度为1.3μm，沟槽宽度为0.5μm，沟槽间距为1.5μm以及沟槽内氧化物的厚度为其特征在于，包括以下步骤：

S1.在N型衬底层上生长一层轻掺杂的N型外延层；

S2.在上述N型外延层上进行初氧，形成氧化层；

S3.在上述氧化层上涂覆光刻胶，对准曝光定义出沟槽图形；

S4.采用干法刻蚀法选择性去除未被光刻胶保护的氧化层，控制氧化层厚度小于以暴露出沟槽图形对应的N型外延层，后除去光刻胶；

S5.采用干法刻蚀法刻蚀暴露的沟槽图形对应的N型外延层，形成沟槽，所述沟槽之间由氧化层保护的N型外延层形成凸台；

S6.在整个结构中进行预栅，形成预栅氧化层，再进行预栅氧化腐蚀；

S7.在整个结构中进行栅氧化，形成栅氧化层；

S8.在整个结构中进行多晶硅淀积形成多晶硅层；

S9.在整个结构中进行多晶硅磷掺杂，热退火后形成导电多晶硅层，再对凸台部位的导电多晶硅层进行回刻，使沟槽内的导电多晶硅层的顶面与凸台的顶面齐平；

S10.在凸台上淀积3％B和4％P的BPSG形成缓冲层；

S11.在整个结构的表面涂覆光刻胶，采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方法，对准曝光进行接触孔光刻保留沟槽最外围的四周，将沟槽之间有源区的氧化层全部刻蚀；

S12.在沟槽区采用溅射的方法溅射形成肖特基势垒金属层，所述肖特基势垒金属层为钛金属层；

S13.在整个结构的表面沉积阳极金属层，所述阳极金属层为Al/Si/Cu金属层，厚度为4μm；进行涂胶，金属光刻腐蚀，控制阳极金属层厚度为2.8μm；

S14.采用研磨单晶硅衬底底面的方法进行衬底减薄处理，并在单晶硅衬底的底面沉积阴极金属层，得到沟槽肖特基势垒二极管，所述阴极金属层为Ti/Ni/Ag金属层。

2.根据权利要求1 所述的沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于：在步骤S2中，所述氧化层的厚度为

3.根据权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于：在步骤S5中，所述沟槽深度为1.3μm，沟槽宽度为0.5μm，以及沟槽之间有源区的宽度为1.5μm。

4.根据权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于：在步骤S7中，所述栅氧化层的厚度为

5.根据权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其特征在于：在步骤S8中，所述多晶硅层的厚度为