[发明专利]SOI FET技术中的背偏置

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

绝缘体上半导体SOI衬底，其包括有源层、衬底和位于所述衬底的上表面上并且位于所述有源层的下表面下方的掩埋绝缘层；

位于所述有源层的上表面上方的至少一个栅电极；

在所述衬底的所述上表面处在所述衬底中形成的多个网格线的网格，所述网格线与所述掩埋绝缘层机械接触；以及

在所述衬底的所述上表面与所述衬底的相对的下表面之间延伸的至少一个垂直连接元件，

其中，所述垂直连接元件的外表面通过绝缘材料层与所述衬底分开，

其中，所述垂直连接元件被配置为向所述网格线中的至少一些网格线施加背偏置电压，以及

其中，所述网格线是导电网格线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件具有至少部分地包围电介质材料的垂直部分和至少部分地在所述掩埋绝缘层与所述电介质材料之间延伸的水平部分，所述电介质材料位于所述衬底的所述下表面上并且部分地延伸到所述衬底中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件的内表面被所述电介质材料覆盖。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中所述绝缘材料层包括氧化物材料和氮化物材料中的一者。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述电介质材料包括位于所述衬底的所述下表面上的沉积的聚合物材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述多个网格线在所述衬底的所述上表面处在所述衬底中水平延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述多个网格线中的至少一个网格线电耦合到所述垂直连接元件。

8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述网格包括钨。

9.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件与所述多个网格线的子集机械接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件在平行于所述衬底的所述上表面的横截面图中具有圆形和多边形形状中的一者。

11.一种半导体器件结构，包括：

绝缘体上半导体SOI衬底，其具有有源层、衬底和位于所述衬底的上表面上并且位于所述有源层的下表面下方的掩埋绝缘层；

位于所述有源层的上表面上方的至少一个栅电极；

在所述衬底的所述上表面与所述衬底的相对的下表面之间延伸的至少一个垂直连接元件；以及

网格，其包括在所述衬底的所述上表面处位于所述衬底中的多个网格线，所述多个网格线与所述掩埋绝缘层机械接触；

其中所述垂直连接元件具有至少部分地包围电介质材料的垂直部分和至少部分地在所述掩埋绝缘层与所述电介质材料之间延伸的水平部分，所述电介质材料位于所述衬底的所述下表面上并且部分地延伸到所述衬底中，

其中，所述垂直连接元件的外表面通过绝缘材料层与所述衬底分开，

其中，所述垂直连接元件被配置为向所述网格线中的至少一些网格线施加背偏置电压，以及

其中，所述网格线是导电网格线。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件的内表面被所述电介质材料覆盖。

13.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件与所述多个网格线的子集机械接触。

14.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中所述垂直连接元件在平行于所述衬底的所述上表面的横截面图中具有圆形和多边形形状中的一者。