[发明专利]MEMS电极微桥形成方法

说明书

本发明公开了一种MEMS电极微桥形成方法，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。本发明能够完整的形成MEMS电极微桥结构。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种MEMS(微机电系统)传感器经常用到的MEMS电极形成方法。

背景技术

非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种MEMS电极微桥形成方法，能够完整的形成MEMS电极微桥结构。

为解决上述技术问题，本发明的MEMS电极微桥形成方法，包括如下步骤：

步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖二氧化硅(SiO2)；

步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；

步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；

步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；

步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。

采用本发明能够完整的形成MEMS电极微桥结构，尤其在电极刻蚀形成桥结构的三明治结构上。本发明的方法能够防止光刻胶在刻蚀TiN薄膜过程中的剥胶效应，以及在微桥结构释放时可以有效缓解因结构应力所造成的微桥塌陷。

本发明适用于MEMS产品。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是所示MEMS电极微桥形成方法一实施例流程图；

图2是现有的MEMS电极微桥形成方法与本发明的MEMS电极微桥形成工艺方法对比流程示意图。

具体实施方式

参见图1、并结合图2(d)～(h)所示，所述MEMS电极微桥形成方法，是在SiO2基板上形成MEMS电极微桥结构，包括如下步骤：

步骤1、结合图2(d)所示(带有TIN薄膜的硅片)，准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖二氧化硅(SiO2)；所述带牺牲层非晶硅薄膜采用为CVD(化学气相淀积)成膜方法形成。

步骤2、结合图2(e)所示(成膜SiO2的硅片)，在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜。

步骤3、结合图2(f)所示(涂抹光刻胶曝光后的硅片)，在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；所述电极层TiN采用PVD(物理气相沉积)或者CVD成膜方法形成，SiO2采用CVD成膜方法形成。

步骤4、结合图2(g)所示(SiO2干法刻蚀后得到的图形)，刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；刻蚀表面SiO2时，主要采用干法刻蚀，刻蚀出电极层TIN即停止刻蚀。