[发明专利]MEMS电极微桥形成方法在审
| 申请号： | 201810757203.3 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109132994A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏;朱兴旺 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 电极层 电极接触层 非晶硅薄膜 非晶硅膜 硅基板 微桥 刻蚀步骤 湿法刻蚀 微桥结构 图形化 牺牲层 硅片 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS电极微桥形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；
步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；
步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；
步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；
步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所述牺牲层非晶硅薄膜采用为CVD成膜方法形成。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3所述电极层TiN采用PVD或者CVD成膜方法形成，SiO2采用CVD成膜方法形成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4所述刻蚀表面SiO2采用干法刻蚀，刻蚀出电极层TIN即停止刻蚀。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5所述湿法刻蚀电极层TiN，将SiO2刻蚀后的硅片做去除光刻胶处置,将不带胶的硅片放入湿法槽内处理。
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