[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保持为真空气氛，用于容纳晶圆(W)；基板载置台(41)，其用于在腔室(40)内载置晶圆(W)；气体导入构件(42)，其用于向腔室(40)内导入含有处理气体的气体；分隔壁构件(44)，其以能够进行升降的方式设置，用于形成分隔壁，该分隔壁在基板载置台(41)的上方的包括晶圆(W)的区域中限定处理空间(S)；以及升降机构(45)，其用于使分隔壁构件(44)进行升降。

本申请是申请号为201510437109.6，申请日为2015年7月23日，发明创造名称为“基板处理装置和基板处理方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于对基板实施处理的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，对作为基板的半导体晶圆(以下，仅记作晶圆)重复进行蚀刻处理、成膜处理等各种处理而制造期望的器件。

以往，作为这样的基板处理，大多使用对基板一张张进行处理的单片式的处理装置。另外，要求提高这样的处理装置的生产率，也提出一种在维持单片式的平台的基础上一次处理两张以上的基板的处理装置(例如专利文献1、2)。

在专利文献1、2所公开的基板处理装置中，在腔室内设置一个基板载置台，以与基板载置台相对的方式在基板载置台的上方设置一个构成喷淋状的气体分散板，在基板载置台上载置多张(两张)基板，将腔室内保持为真空并自气体分散板供给处理气体，从而对基板进行规定的处理。

专利文献1：日本特表2010－520649号公报

专利文献2：日本特开2012－015285号公报

发明内容

发明要解决的问题

然后，在蚀刻处理等基板处理中，随着基板的大型化而难以确保处理均匀性，除此以外，处理均匀性的要求越来越高，在所述专利文献1、2的技术中，难以获得期望的处理均匀性。即，在所述专利文献1、2的技术中，由于多张基板的干涉等而产生温度的不均匀、气体供给的不均匀，从而难以获得充分的处理均匀性。并且，连通常的单片式的处理装置也存在不能确保充分的处理均匀性的情况。

本发明是鉴于这样的情况而做出的，其课题在于，提供一种在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时、能够进一步确保处理均匀性的基板处理装置和基板处理方法。

用于解决问题的方案

为了解决所述问题，本发明的第1技术方案提供一种基板处理装置，其用于在真空气氛下利用处理气体对被处理基板实施规定的处理，其特征在于，该基板处理装置包括：腔室，其被保持为真空气氛，用于容纳被处理基板；基板载置台，其用于在所述腔室内载置被处理基板；气体导入构件，其用于向所述腔室内导入含有处理气体的气体；分隔壁构件，其以能够进行升降的方式设于所述腔室内，用于形成分隔壁，该分隔壁在所述基板载置台的上方的包括被处理基板的区域中限定处理空间；以及升降机构，其用于使所述分隔壁构件进行升降。

在所述第1技术方案中，能够构成为，所述分隔壁构件具有用于限定处理空间的筒状部和呈凸缘状设于筒状部的上部的凸缘部。优选的是，所述分隔壁构件具有设于所述凸缘部内的加热器，利用所述加热器的热量来提高所述处理空间的均热性。优选的是，所述加热器设于所述凸缘部内的被保持为大气压的空间内。