[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201810744557.4 | 申请日: | 2015-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN108878328B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
| 发明(设计)人: | 浅川雄二;绿川洋平;户田聪;高桥宏幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其用于在真空气氛下利用处理气体对被处理基板实施规定的处理,其特征在于,
该基板处理装置包括:
腔室,其被保持为真空气氛,用于容纳被处理基板;
基板载置台,其用于在所述腔室内载置被处理基板;
气体导入构件,其用于向所述腔室内导入含有处理气体的气体;
分隔壁构件,其以能够进行升降的方式设于所述腔室内,用于形成分隔壁,该分隔壁在所述基板载置台的上方的包括被处理基板的区域中限定密闭的处理空间;以及
升降机构,其用于使所述分隔壁构件进行升降,
其中,所述气体导入构件与所述基板载置台相对地设置,所述气体导入构件还具有用于在形成所述处理空间时将所述分隔壁构件与所述气体导入构件之间密封的第1密封构件,
所述第1密封构件是具有主体部和自主体部倾斜地突出而构成密封部的唇部的唇式密封件,以所述分隔壁构件与所述气体导入构件之间的间隙在1.6mm~3.6mm的范围内的方式进行密封,
所述分隔壁构件的内侧与外侧之间的压力差为300Torr以下,
所述分隔壁构件具有加热器。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还包括:
内壁,其具有狭缝,该内壁以与所述基板载置台隔开间隔的方式设于所述基板载置台的周围;以及
第2密封构件,其用于在形成所述处理空间时将所述分隔壁构件与所述内壁之间密封,
自所述基板载置台与内壁之间的空间经由所述狭缝来对所述处理空间进行排气。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第2密封构件是具有主体部和自主体部倾斜地突出而构成密封部的唇部的唇式密封件,以使所述分隔壁构件与所述内壁之间的间隙在1.6mm~3.6mm的范围内的方式进行密封。
4.一种基板处理装置,其用于在真空气氛下利用处理气体对多张被处理基板实施规定的处理,其特征在于,
该基板处理装置包括:
腔室,其被保持为真空气氛,用于容纳多张被处理基板;
多个基板载置台,其用于在所述腔室内分别载置被处理基板;
气体导入构件,其用于向所述腔室内导入含有处理气体的气体;
分隔壁构件,其以能够进行升降的方式设于所述腔室内,用于形成分隔壁,该分隔壁在所述多个基板载置台的上方的包括被处理基板的区域中分别限定密闭的处理空间;以及
升降机构,其用于使所述分隔壁构件进行升降,
所述气体导入构件与所述基板载置台相对地设置,所述气体导入构件还具有用于在形成所述处理空间时将所述分隔壁构件与所述气体导入构件之间密封的第1密封构件,
所述第1密封构件是具有主体部和自主体部倾斜地突出而构成密封部的唇部的唇式密封件,以所述分隔壁构件与所述气体导入构件之间的间隙在1.6mm~3.6mm的范围内的方式进行密封,
所述分隔壁构件的内侧与外侧之间的压力差为300Torr以下,
所述分隔壁构件具有加热器。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还包括:
内壁,其具有狭缝,该内壁以与所述基板载置台隔开间隔的方式设于所述基板载置台的周围;以及
第2密封构件,其用于在形成所述处理空间时将所述分隔壁构件与所述内壁之间密封,
自所述基板载置台与内壁之间的空间经由所述狭缝来对所述处理空间进行排气。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第2密封构件是具有主体部和自主体部倾斜地突出而构成密封部的唇部的唇式密封件,以使所述分隔壁构件与所述内壁之间的间隙在1.6mm~3.6mm的范围内的方式进行密封。
7.一种基板处理方法,在该基板处理方法中,成为在被保持为真空气氛的腔室内将被处理基板载置于基板载置台的状态,以能够进行升降的方式设置用于形成分隔壁的分隔壁构件,该分隔壁在基板载置台的上方的包括被处理基板的区域中限定密闭的处理空间,自气体导入构件向由所述分隔壁构件限定的所述密闭的处理空间内导入处理气体而对所述被处理基板实施规定的处理,其特征在于,
该基板处理方法包括以下工序:
设成已使所述分隔壁构件下降以便能够向所述基板载置台输送被处理基板的状态;
将被处理基板输入到所述腔室内并载置在所述基板载置台上;
使所述分隔壁构件上升而在所述腔室内形成所述密闭的处理空间;
向所述密闭的处理空间内导入所述处理气体而对所述被处理基板实施规定的处理;
使所述分隔壁构件下降以便能够将所述被处理基板自所述腔室输出;以及
在已使所述分隔壁构件下降的状态下将所述被处理基板自所述腔室输出,
其中,所述气体导入构件与所述基板载置台相对地设置,所述气体导入构件还具有用于在形成所述处理空间时将所述分隔壁构件与所述气体导入构件之间密封的第1密封构件,
所述第1密封构件是具有主体部和自主体部倾斜地突出而构成密封部的唇部的唇式密封件,以所述分隔壁构件与所述气体导入构件之间的间隙在1.6mm~3.6mm的范围内的方式进行密封,
所述分隔壁构件的内侧与外侧之间的压力差为300Torr以下,
所述分隔壁构件具有加热器。
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