[发明专利]制造结晶硅的系统及制造结晶硅的方法

说明书

本发明涉及一种制造结晶硅的系统及方法。所述系统包括第一结晶硅产线及第二结晶硅产线。第一结晶硅产线包括第一三氯硅烷汽化单元以及第一化学气相沉积反应单元，以制造第一结晶硅。第二结晶硅产线包括第二三氯硅烷汽化单元以及第二化学气相沉积反应单元，以制造第二结晶硅。第一三氯硅烷汽化单元与第二三氯硅烷汽化单元彼此独立。

技术领域

本发明是有关于一种制造结晶硅的系统，且特别是有关于一种使用三氯硅烷制造结晶硅的系统及方法。

背景技术

硅是一种重要的半导体材料。具体而言，经过纯化而得到的高纯度结晶硅，可供半导体及太阳能产业使用。根据硅纯度的不同，结晶硅可分为太阳能级(纯度为6N以上)与电子级(纯度为9N以上)。

改良式西门子法是结晶硅的主要制造技术之一，其可用于制造电子级结晶硅，也可以制造太阳能级结晶硅。然而，现有的改良式西门子法在电子级结晶硅的纯度与产率仍无法完全满足所有需求。因此，对于能够进一步提高结晶硅的纯度与产率的制造结晶硅的系统及方法仍有所需求。

发明内容

本发明一实施例是提供一种制造结晶硅的系统，包括：第一结晶硅产线，其中第一结晶硅产线包括：第一三氯硅烷汽化单元，提供第一三氯硅烷原料；以及第一化学气相沉积反应单元，配置于第一三氯硅烷汽化单元之后，以使第一三氯硅烷原料进行反应而制造第一结晶硅；以及第二结晶硅产线，其中第二结晶硅产线包括：第二三氯硅烷汽化单元，配置于第一化学气相沉积反应单元之后，以提供第二三氯硅烷原料，其中第一三氯硅烷汽化单元与第二三氯硅烷汽化单元彼此独立；以及第二化学气相沉积反应单元，配置于第二三氯硅烷汽化单元之后，以使第二三氯硅烷原料进行反应而制造第二结晶硅。

本发明的另一实施例是揭示一种制造结晶硅的方法，包括：第一三氯硅烷原料提供步骤，借由第一三氯硅烷汽化单元提供第一三氯硅烷原料；第一化学气相沉积步骤，在第一化学气相沉积反应单元中使第一三氯硅烷原料进行反应而制造第一结晶硅，其中第一化学气相沉积反应单元配置于第一三氯硅烷汽化单元之后；第二三氯硅烷原料提供步骤，借由第二三氯硅烷汽化单元，提供第二三氯硅烷原料，其中第二三氯硅烷汽化单元配置于第一化学气相沉积反应单元之后，且第一三氯硅烷汽化单元与第二三氯硅烷汽化单元彼此独立；以及第二化学气相沉积步骤，在第二化学气相沉积反应单元中使第二三氯硅烷原料进行反应而制造第二结晶硅，其中第二化学气相沉积反应单元配置于第二三氯硅烷汽化单元之后。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，作详细说明如下：

附图说明

第1图为本发明一些实施例的制造结晶硅的系统的概略流程图。

第2图为本发明一些实施例的回收氯硅烷纯化单元的概略流程图。

第3图为本发明一些实施例的制造结晶硅的方法的概略流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述和其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

在此，“约”、“大约”的用语通常表示在给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，意即在没有特定说明的情况下，仍可隐含“约”、“大约”的含义。

本说明书的纯度单位为“N”。举例而言，若物质的纯度为3N，则代表所述物质的纯度为99.9wt％。相似地，纯度6N、7N及8N则分别代表99.9999wt％、99.99999wt％及99.999999wt％的纯度。

本说明书的用语“结晶硅(crystalline silicon)”，可包括单晶硅(monocrystalline silicon)、多晶硅(polycrystalline silicon)或其组合。