[发明专利]制造结晶硅的系统及制造结晶硅的方法

权利要求书

1.一种制造结晶硅的系统，包括：

第一结晶硅产线，其中所述第一结晶硅产线包括：

第一三氯硅烷汽化单元，提供第一三氯硅烷原料；以及

第一化学气相沉积反应单元，配置于所述第一三氯硅烷汽化单元的后，以使所述第一三氯硅烷原料进行反应而制造第一结晶硅；以及

第二结晶硅产线，其中所述第二结晶硅产线包括：

第二三氯硅烷汽化单元，配置于所述第一化学气相沉积反应单元的后，以提供第二三氯硅烷原料，其中所述第一三氯硅烷汽化单元与所述第二三氯硅烷汽化单元彼此独立；以及

第二化学气相沉积反应单元，配置于所述第二三氯硅烷汽化单元的后，以使所述第二三氯硅烷原料进行反应而制造第二结晶硅。

2.如权利要求1所述的制造结晶硅的系统，其中所述第一结晶硅具有第一纯度，所述第二结晶硅具有第二纯度，且所述第一纯度大于或等于所述第二纯度。

3.如权利要求2所述的制造结晶硅的系统，其中所述第一纯度大于或等于10N，且所述第二纯度大于或等于9N。

4.如权利要求1所述的制造结晶硅的系统，还包括：

化学气相沉积反应尾气回收单元，配置于所述第一化学气相沉积反应单元之后；以及

回收氯硅烷纯化单元，配置于所述化学气相沉积反应尾气回收单元之后，以将来自于所述化学气相沉积反应尾气回收单元的回收三氯硅烷纯化，并提供高纯度三氯硅烷原料至所述第二三氯硅烷汽化单元。

5.如权利要求4所述的制造结晶硅的系统，其中所述高纯度三氯硅烷原料的纯度大于或等于99.98wt％。

6.如权利要求4所述的制造结晶硅的系统，其中所述高纯度三氯硅烷原料并未进入所述第一三氯硅烷汽化单元中。

7.如权利要求4所述的制造结晶硅的系统，其中所述回收氯硅烷纯化单元包括蒸馏次单元、吸附次单元或上述的组合。

8.如权利要求7所述的制造结晶硅的系统，其中所述蒸馏次单元包括蒸馏塔，且所述蒸馏塔包括塔顶、塔底及两个或两个以上的塔板。

9.如权利要求7所述的制造结晶硅的系统，其中所述蒸馏次单元包括蒸馏塔，且所述蒸馏塔包括塔填料。

10.如权利要求7所述的制造结晶硅的系统，其中所述蒸馏次单元包括蒸馏塔，其中所述高纯度三氯硅烷原料是从距离所述蒸馏塔的塔顶5％-20％的高度的位置出料。

11.如权利要求7所述的制造结晶硅的系统，其中所述吸附次单元包括吸附材料，以移除三氯化硼及磷化氢。

12.如权利要求1所述的制造结晶硅的系统，其中借由氢气、氦气或氩气控制所述第一三氯硅烷汽化单元的第一操作压力与所述第二三氯硅烷汽化单元的第二操作压力。

13.如权利要求1所述的制造结晶硅的系统，还包括：

第一三氯硅烷储存单元，配置于所述第一三氯硅烷汽化单元之前，其中所述第一三氯硅烷储存单元的第一填补气体为氢气、氦气或氩气；以及

第二三氯硅烷储存单元，配置于所述第二三氯硅烷汽化单元之前，其中所述第二三氯硅烷储存单元的第二填补气体为氢气、氦气或氩气。

14.如权利要求1所述的制造结晶硅的系统，其中所述第二结晶硅产线的产率高于所述第一结晶硅产线的产率。