[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：

第一管栅；

第二管栅，该第二管栅设置在所述第一管栅上；

栅间绝缘层，该栅间绝缘层设置在所述第一管栅和所述第二管栅之间；

第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元和所述第二存储单元设置在所述第二管栅上；

第一沟道层，该第一沟道层从所述第一管栅的内部朝向所述第一存储单元延伸，所述第一沟道层将所述第一存储单元串联连接；

第二沟道层，该第二沟道层从所述第二管栅的内部朝向所述第二存储单元延伸，所述第二沟道层将所述第二存储单元串联连接；

第一接触结构，该第一接触结构与所述第一管栅连接；以及

第二接触结构，该第二接触结构与所述第二管栅连接，

其中，所述第一接触结构包括水平部和从所述水平部向上延伸的垂直部，

其中，所述第一接触结构的所述水平部与所述第一管栅的侧壁和上表面接触，并且

其中，所述第一接触结构的所述垂直部在平面上与所述第一管栅的所述侧壁和所述第二管栅分隔开。

2.一种半导体器件，该半导体器件包括：

管栅堆叠结构；

第一存储串，该第一存储串包括经由第一沟道层彼此串联联接的存储单元和第一管式晶体管，所述第一管式晶体管形成在所述管栅堆叠结构和所述第一沟道层的交叉部分处；

第二存储串，该第二存储串包括经由第二沟道层彼此串联联接的存储单元和第二管式晶体管，所述第二管式晶体管形成在所述管栅堆叠结构和所述第二沟道层的交叉部分处；以及

第一接触结构和第二接触结构，该第一接触结构和该第二接触结构分别连接到所述第一管式晶体管和所述第二管式晶体管，

其中，所述第一接触结构包括第一水平部和从所述第一水平部向上延伸的第一垂直部，

其中，所述管栅堆叠结构包括与所述第一接触结构的所述第一水平部接触的上表面和侧壁，并且

其中，所述管栅堆叠结构的所述侧壁在平面上与所述第一接触结构的所述第一垂直部分隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一接触结构与所述第一管式晶体管联接，以提供第一控制信号，并且

其中，所述第二接触结构与所述第二管式晶体管联接，以提供与所述第一控制信号不同的第二控制信号。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述管栅堆叠结构包括：

第一管栅，该第一管栅被用作所述第一管式晶体管的第一栅极；以及

第二管栅，该第二管栅设置在所述第一管栅上，并且被用作所述第二管式晶体管的第二栅极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述管栅堆叠结构包括：

栅间绝缘层，该栅间绝缘层设置在所述第一管栅和所述第二管栅之间。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一管栅包括不与所述第二管栅交叠的接触区域，

其中，所述第一接触结构包括：

第一栅接触图案，该第一栅接触图案与所述第一管栅的所述接触区域接触，所述第一栅接触图案延伸达到所述第二管栅的顶表面的高度；以及

接触插塞，该接触插塞设置在所述第一栅接触图案上，所述接触插塞与所述第一栅接触图案接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构还包括与所述第一管栅的所述接触区域交叠的辅助栅，所述辅助栅被所述第一栅接触图案穿透，所述辅助栅与所述第二管栅分隔开，并且

其中，所述辅助栅通过所述第一栅接触图案连接到所述第一管栅。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一垂直部穿透所述辅助栅以形成所述第一栅接触图案的第一部分，并且

其中，所述第一水平部被设置在所述辅助栅与所述第一管栅之间以形成所述第一栅接触图案的第二部分。