[发明专利]三维半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，包括第一区域和第二区域；

下层结构，在所述基板上，所述下层结构在所述第一区域上具有第一厚度并在所述第二区域上具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述下层结构包括在顶部的电极层和在所述电极层下面的绝缘层；

蚀刻停止层，在所述下层结构上；

上层结构，在所述蚀刻停止层上，所述上层结构的顶表面在所述第一区域和所述第二区域上为相同的水平面，所述蚀刻停止层相对于所述上层结构和所述下层结构两者具有蚀刻选择性；以及

第一接触插塞，填充第一开口，所述上层结构和所述蚀刻停止层在所述第一区域上包括穿过其限定的所述第一开口，所述第一接触插塞与所述下层结构的所述电极层接触；以及

第二接触插塞，填充第二开口，所述上层结构和所述蚀刻停止层在所述第二区域上包括穿过其限定的所述第二开口，所述第一接触插塞的底表面与所述蚀刻停止层的底表面具有第一距离，并且所述第二接触插塞的底表面与所述蚀刻停止层的所述底表面具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中与所述第一距离相比，所述第二距离从所述蚀刻停止层的所述底表面更远地延伸到所述下层结构的所述电极层中。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层包括相对于所述上层结构和所述下层结构两者具有1000:1或更大的蚀刻选择性的材料。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止层是包含90至100原子百分比的硼的非晶硼层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触插塞具有面对所述蚀刻停止层的第一侧壁部分，所述第二接触插塞具有面对所述蚀刻停止层的第二侧壁部分，并且所述第一侧壁部分具有倾斜形状，所述第二侧壁部分具有竖直的形状和圆化的形状中的至少一种。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上层结构包括单个绝缘层、多个绝缘层、以及导电图案和绝缘层的堆叠中的至少一种。

7.一种半导体器件，包括：

基板，包括第一区域和第二区域；

下层结构，在所述基板上，所述下层结构在所述第一区域上具有第一厚度并在所述第二区域上具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述下层结构包括在顶部的电极层和在所述电极层下面的绝缘层；

非晶硼层，在所述下层结构上；

上层结构，在所述非晶硼层上，所述上层结构的顶表面在所述第一区域和所述第二区域上为相同的水平面，所述非晶硼层相对于所述上层结构和所述下层结构两者具有蚀刻选择性；

第一接触插塞，填充第一开口，所述上层结构和所述非晶硼层在所述第一区域上包括穿过其限定的所述第一开口，所述第一接触插塞与所述下层结构的所述电极层连接；以及

第二接触插塞，填充第二开口，所述上层结构和所述非晶硼层在所述第二区域上包括穿过其限定的所述第二开口，所述第二接触插塞与所述下层结构的所述电极层连接。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述非晶硼层包括90至100原子百分比的硼。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述非晶硼层相对于所述下层结构和所述上层结构两者具有1000:1或更大的蚀刻选择性。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一接触插塞的底表面和所述第二接触插塞的底表面分别在距所述非晶硼层的底表面的第一距离和第二距离处，并且所述第一距离和所述第二距离彼此不同。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中与所述第一距离相比，所述第二距离从所述非晶硼层的所述底表面更远地延伸到所述下层结构的所述电极层中。