[发明专利]一种高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置在审

专利信息
申请号: 201810736554.6 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN109037128A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 刘宏;王春定;龚志国;姚学森;刘柏林 申请(专利权)人: 天长市百盛半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L31/18
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 傅磊
地址: 239300 安徽省滁州市天长*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 伸缩副杆 伸缩主杆 伸缩组件 固定部 吸杆 太阳能电池 高稳定性 抓取机构 转移装置 晶体硅 卡槽 平行 吸盘 负压发生单元 驱动机构 同一直线 活动架 伸缩 抬起 垂直
【权利要求书】:

1.一种高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,包括:活动架(1)、安装在活动架(1)上以用于对待转移的工件进行搬运的抓取机构和用于驱动活动架(1)进行移动的驱动机构,其中:

抓取机构包括吸杆(2)、安装在吸杆(2)一端以用于对待转移工件进行吸附的吸盘(3)、用于使吸杆(2)内部产生负压的负压发生单元、以及第一伸缩组件(4)和第二伸缩组件(5),且第一伸缩组件(4)包括可自动伸缩的第一伸缩主杆(41)和第一伸缩副杆(42),第二伸缩组件(5)包括可自动伸缩的第二伸缩主杆(51)和第二伸缩副杆(52);

第一伸缩主杆(41)位于吸杆(2)延伸方向的一侧并与吸杆(2)垂直,且第一伸缩主杆(41)的一端与吸杆(2)固定;第一伸缩副杆(42)位于第一伸缩主杆(41)靠近吸盘(3)的一侧并与吸杆(2)平行,且第一伸缩副杆(42)远离吸盘(3)的一端与第一伸缩主杆(41)固定连接,其靠近吸盘(3)的一端设有与其固定的第一固定部,所述第一固定部上设有可供待转移工件的边部卡入且开口朝向吸盘(3)的第一卡槽(6);

第二伸缩主杆(51)位于吸杆(2)远离第一伸缩主杆(41)的一侧并与第一伸缩主杆(41)位于同一直线上,且第二伸缩主杆(51)的一端与吸杆(2)固定;第二伸缩副杆(52)位于第二伸缩主杆(51)靠近吸盘(3)的一侧并与吸杆(2)平行,且第二伸缩副杆(52)远离吸盘(3)的一端与第二伸缩主杆(51)固定连接,其靠近吸盘(3)的一端设有与其固定的第二固定部,所述第二固定部上设有可供待转移工件的边部卡入且开口朝向吸盘(3)的第二卡槽(7)。

2.根据权利要求1所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,抓取机构还包括支撑杆(8)和动力单元,支撑杆(8)的一端与活动架(1)固定连接;吸杆(2)远离吸盘(3)的一端与支撑杆(8)活动连接,且吸杆(2)具有第一位置状态和第二位置状态,当其处于第一位置状态时,吸杆(2)与支撑杆(8)位于同一直线上,当其处于第二位置状态时,吸杆(2)转至支撑杆(8)的一侧并与支撑杆(8)垂直;所述动力单元用于驱动吸杆(2)在第一位置状态与第二位置状态之间切换。

3.根据权利要求2所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,动力单元固定安装在支撑杆(8)上。

4.根据权利要求1所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,抓取机构设有多个,各抓取机构在活动架(1)上间距布置。

5.根据权利要求4所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,任意相邻的两个抓取机构之间的间距可调。

6.根据权利要求5所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,还包括用于驱动各抓取机构在活动架(1)上来回移动以调整相邻两个抓取机构之间间距的动力机构。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,还包括用于实时检测第一卡槽(6)与吸盘(3)所在平面之间垂直距离的第一传感器,所述第一伸缩副杆(42)根据第一传感器的检测数据控制其伸缩量。

8.根据权利要求7所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,还包括用于实时检测第一卡槽(6)与吸盘(3)所在平面之间水平距离的第二传感器,所述第一伸缩主杆(41)根据第二传感器的检测数据控制其伸缩量。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,还包括用于实时检测第二卡槽(7)与吸盘(3)所在平面之间垂直距离的第三传感器,所述第二伸缩副杆(52)根据第三传感器的检测数据控制其伸缩量。

10.根据权利要求9所述的高稳定性太阳能电池晶体硅转移装置,其特征在于,还包括用于实时检测第一卡槽(6)与吸盘(3)所在平面之间水平距离的第四传感器,所述第二伸缩主杆(51)根据第四传感器的检测数据控制其伸缩量。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天长市百盛半导体科技有限公司,未经天长市百盛半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810736554.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top