[发明专利]栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管

权利要求书

1.一种栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包含：

P型基底；

P型阱区域，设于该P型基底中；

指栅极，横越该P型阱区域，其中该指栅极的第一侧壁上设有第一间隙壁，该指栅极相对于该第一侧壁的第二侧壁上设有第二间隙壁；

N⁺漏极掺杂区，设于该P型阱区域中，且邻近该指栅极的该第一侧壁，其中该N⁺漏极掺杂区邻接该第一间隙壁的底部边缘；

N⁺源极掺杂区，相对于该N⁺漏极掺杂区设于该P型阱区域中，其中该N⁺源极掺杂区相对于该第二间隙壁的底部边缘保持一预定距离；以及

P⁺拾取环，设于该P型阱区域中且环绕该指栅极、该N⁺漏极掺杂区与该N⁺源极掺杂区。

2.如权利要求1所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中该预定距离不少于200纳米。

3.如权利要求1所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中该预定距离约为300纳米。

4.如权利要求1所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中另包含：

漏极侧NLDD区域，围绕该N⁺漏极掺杂区；以及

源极侧NLDD区域，围绕该N⁺源极掺杂区。

5.如权利要求4所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中该源极侧NLDD区域与该N⁺源极掺杂区具有对准的边缘。

6.如权利要求5所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中介于该对准的边缘与该第二间隙壁的该底部边缘的区域为源极撤回区域。

7.如权利要求6所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中于该源极撤回区域内未设置硅化金属层。

8.如权利要求1所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中另包含：

深N型阱，设于该P型阱区域下方。

9.如权利要求1所述的栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其中另包含：

沟槽绝缘区域，介于该P⁺拾取环与该N⁺漏极掺杂区及该N⁺源极掺杂区之间。