[发明专利]基板翘曲监视装置、基板处理装置及基板翘曲监视方法有效
申请号: | 201810731772.0 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN109216237B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 千叶俊弥;佐佐木祐也;田口纯之介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板翘曲 监视 装置 处理 方法 | ||
1.一种基板翘曲监视装置,对在旋转台上沿周向设置的基板载置区域上载置的基板在所述旋转台旋转过程中的翘曲进行监视,所述基板翘曲监视装置具有:
光学式位移计,其能够从所述旋转台的上方向所述旋转台上的规定位置照射光,接收来自所述旋转台旋转而通过所述规定位置的所述旋转台和所述基板的反射光,来测量所述基板的表面特征;
存储单元,其存储将所述光照射于规定的参照面时的测量值来作为参照值;以及
运算单元,其基于所述光学式位移计测量出的所述基板的表面特征和所述存储单元中存储的参照值来计算所述基板的翘曲量,
其中,所述参照面为所述旋转台的表面,
在所述旋转台上沿所述周向设置有多个基板载置区域,以能够载置多个基板,
所述基板翘曲监视装置还具有获取所述旋转台旋转过程中的所述多个基板载置区域的位置的基板位置获取单元,所述基板翘曲监视装置按所述多个基板载置区域中的每个基板载置区域计算所述基板的翘曲量,
在测量所述多个基板的表面特征时,与所测量的该基板相应地将所述存储单元中存储的所述参照值更新为载置有该基板的所述基板载置区域与同该基板载置区域相邻的基板载置区域之间的所述旋转台的表面的测量值。
2.根据权利要求1所述的基板翘曲监视装置,其特征在于,
在多个位置设置有所述光学式位移计,以能够监视所述旋转台的不同的位置。
3.根据权利要求2所述的基板翘曲监视装置,其特征在于,
所述旋转台的不同的位置包括所述旋转台的径向上的所述基板的中心位置、内侧的规定位置、外侧的规定位置。
4.根据权利要求1所述的基板翘曲监视装置,其特征在于,
在判定为所述多个基板中的至少一个基板的翘曲量超过了规定的阈值时,所述运算单元发出警报信号。
5.根据权利要求1所述的基板翘曲监视装置,其特征在于,
在基于测量反射光得到的测量值判定为从所述多个基板载置区域中的至少一个基板载置区域接收到的所述反射光不是从所述基板反射的而是从所述旋转台反射的光时,所述运算单元判定为在所述至少一个基板载置区域所述基板脱离,发出警报信号。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板翘曲监视装置,其特征在于,
所述运算单元不将来自所述基板的边缘部的所述反射光的测量值用于所述基板的形状的计算而是将该测量值废弃。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板翘曲监视装置,其特征在于,
所述光为激光、LED光或灯光。
8.一种基板处理装置,具有:
处理容器;
旋转台,其设置于所述处理容器内,具有沿周向设置的多个基板载置区域;
反应气体供给喷嘴,其能够向所述旋转台上供给反应气体;以及
根据权利要求1至7中的任一项所述的基板翘曲监视装置。
9.一种基板处理装置,具有:
处理容器;
旋转台,其设置于所述处理容器内,具有沿周向设置的多个基板载置区域;
反应气体供给喷嘴,其能够向所述旋转台上供给反应气体;
根据权利要求4或5所述的基板翘曲监视装置;以及
控制单元,其在接收到来自所述基板翘曲监视装置的警报信号时,使所述旋转台减速或停止。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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