[发明专利]湿空气制备装置、湿空气制备方法以及光刻装置在审
申请号: | 201810731625.3 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN110687752A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 赵丹平;杨志斌;罗晋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 雾化腔室 湿空气 电场 空气供给单元 水供给单元 供给单元 光刻装置 压缩空气 制备装置 出气口 雾化 制备 浸没式光刻装置 位置测量单元 抗干扰性能 单元连接 输出 供给水 浸没液 水电离 蒸发 洁净 供电 | ||
本发明公开了湿空气制备装置、湿空气制备方法以及光刻装置。此湿空气制备装置包括:水供给单元、空气供给单元、电场供给单元和雾化腔室单元;其中,水供给单元、空气供给单元以及电场供给单元分别与雾化腔室单元连接;水供给单元用于向雾化腔室单元供给水;电场供给单元用于向雾化腔室单元供电,使雾化腔室单元中形成电场,使水电离雾化;空气供给单元用于向雾化腔室单元中供给压缩空气,压缩空气与雾化后的水在雾化腔室单元中混合,共同形成湿空气;雾化腔室单元包括出气口,出气口用于将形成的湿空气输出,输出的湿空气用于浸没式光刻装置。本发明的技术方案可制备超洁净湿空气,减缓光刻装置中浸没液蒸发速率,增强位置测量单元的抗干扰性能。
技术领域
本发明实施例涉及光刻技术领域,尤其涉及湿空气制备装置、湿空气制备方法以及光刻装置。
背景技术
光刻工艺直接决定大规模集成电路的特征尺寸,是大规模集成电路制造的关键工艺。现有光刻装置以光学光刻为基础,利用投影系统将图案形成单元上的图形精确地投影曝光到涂覆有光刻胶的基底(例如,硅片)上。传统的光刻装置中,投影系统的镜头与光刻胶之间的介质是空气,浸没式光刻装置是将空气介质换成液体介质,利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率,其缩短的倍率即为液体介质的折射率。由于液体介质的折射率比空气介质的折射率大,因此,投影系统的透镜组的数值孔径增大,进而可获得较小的特征尺寸。
浸没式光刻装置工作时,承载单元带动基底做高速的扫描或步进动作,位置测量单元通过处理测量光线的信息获取承载单元的位置以及运动状态;同时,浸没液限制机构根据承载单元的运动状态,在投影系统的物镜视场范围,提供一个稳定的浸没液流场,以及保证浸没液流场与外界的密封,即保证浸没液不泄露。图案形成单元上的图形通过照明单元、投影系统和浸没液以成像曝光的方式,转移到涂覆有光刻胶的基底上,从而完成曝光。此浸没式光刻装置中浸没液蒸发较快且位置测量单元的抗干扰性能较差。
发明内容
本发明提供湿空气制备装置、湿空气制备方法以及光刻装置,以减缓浸没液蒸发速率,增强位置测量单元的抗干扰性能。
第一方面,本发明实施例提出一种湿空气制备装置,该装置包括:
水供给单元、空气供给单元、电场供给单元和雾化腔室单元;
其中,所述水供给单元、所述空气供给单元以及所述电场供给单元分别与所述雾化腔室单元连接;
所述水供给单元用于向所述雾化腔室单元供给水;
所述电场供给单元用于向所述雾化腔室单元供电,使所述雾化腔室单元中形成电场,使水电离雾化;
所述空气供给单元用于向所述雾化腔室单元中供给压缩空气,所述压缩空气与雾化后的水在所述雾化腔室单元中混合,共同形成湿空气;
所述雾化腔室单元包括出气口,所述出气口用于将形成的湿空气输出,输出的湿空气用于浸没式光刻装置的用气区域。
进一步地,所述水供给单元包括超纯水供给子单元、二氧化碳供给子单元、混合腔室子单元和至少一个喷嘴;
其中,所述超纯水供给子单元、二氧化碳供给子单元以及至少一个喷嘴分别与混合腔室子单元连接;
所述超纯水供给子单元用于向所述混合腔室子单元供给超纯水;
所述二氧化碳供给子单元用于向所述混合腔室子单元供给二氧化碳;
所述混合腔室子单元用于将所述超纯水与所述二氧化碳混合;
所述喷嘴位于所述雾化腔室单元内部,用于将混合后的所述超纯水喷出。
进一步地,所述雾化腔室单元还包括至少一个多孔板,所述多孔板与所述喷嘴相对设置;所述电场供给单元包括第一电极和第二电极;所述第一电极与所述喷嘴电连接,所述第二电极与所述多孔板电连接;
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