[发明专利]一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法，用以提高薄膜晶体管的感光性能和感压性能，从而有利于提高检测压力或光照时的精度。本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，所述半导体层的材料包括二碲化钼。

技术领域

本发明涉及新型材料技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法。

背景技术

近年来，随着人工智能、可穿戴电子设备、物联网的快速发展，传感器检测设备得到了越来越多的关注，并对传感器的性能要求也越来越高，使研究方向向多类型，可柔性，小尺寸等方向发展。其中，光学和力学传感器由于可以感知光学和力学信号的变化，在智能仿生机器人，可穿戴等领域应用广泛。

然而，传统的光学和力学传感器的基本结构、工艺和性能，很难达到人们在人工智能或可穿戴电子领域的要求；尤其是对于差异性比较小的光信号和压信号，传统的传感器很难进行分辨。因此，发展新型符合性能要求的高精度光学和力学传感器件，成为现如今光学和力学传感器发展的一个重要方向。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法，用以提高薄膜晶体管的感光性能和感压性能，从而有利于提高检测压力或光照时的精度。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，所述半导体层的材料包括二碲化钼。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述栅极的材料为石墨烯；和/或，所述源漏极的材料为石墨烯。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管包括：至少两组源漏极。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管包括第一组源漏极和第二组源漏极，所述第一组源漏极包括第一源极和第一漏极，所述第二组源漏极包括第二源极和第二漏极；

所述第一源极、第一漏极和所述半导体层的沟道组成第一通道；

所述第二源极、第二漏极和所述半导体层的沟道组成第二通道。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述栅极和所述半导体层之间的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层的材料为氧化铝。

第二方面，本发明实施例还提供了一种检测装置，用于检测压力或光照，所述检测装置包括本发明实施例提供的上述任一种的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管的栅极与控制端电连接，所述薄膜晶体管的源极与检测信号端电连接，所述薄膜晶体管的漏极与输出端电连接。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述检测装置中，所述薄膜晶体管包括两组源漏极，所述检测信号端包括第一检测信号端和第二检测信号端，所述输出端包括第一输出端和第二输出端；

所述薄膜晶体管的第一源极与所述第一检测信号端电连接，所述薄膜晶体管的第一漏极与所述第一输出端电连接；所述薄膜晶体管的第二源极与所述第二检测信号端电连接，所述薄膜晶体管的第二漏极与所述第二输出端电连接。

第三方面，本发明实施例还提供了一种采用本发明实施例提供的检测装置检测压力或光照的方法，该方法包括：

发送控制信号给控制端，以及发送检测信号给检测信号端；

接收输出端输出的感测信号，所述感测信号为所述检测装置在受到压力或者光照作用后使半导体层的载流子迁移率变化而得到的信号；

根据所述检测信号和感测信号，确定压力大小或光照强度。