[发明专利]一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，其特征在于，所述半导体层的材料包括二碲化钼；

所述栅极的材料为石墨烯；和/或，所述源漏极的材料为石墨烯；

所述薄膜晶体管包括：至少两组源漏极；

所述薄膜晶体管包括第一组源漏极和第二组源漏极，所述第一组源漏极包括第一源极和第一漏极，所述第二组源漏极包括第二源极和第二漏极；

所述第一源极、第一漏极和所述半导体层的沟道组成第一通道；

所述第二源极、第二漏极和所述半导体层的沟道组成第二通道；

当施加在栅极的驱动电压在第一预设范围内时，所述半导体层的结构为六方晶相，且所述第一通道的迁移率大于所述第二通道的迁移率；

当施加在栅极的驱动电压在第二预设范围内，半导体层为单斜晶相；所述第一通道的迁移率小于所述第二通道的迁移率。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述栅极和所述半导体层之间的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层的材料为氧化铝。

3.一种检测装置，用于检测压力或光照，其特征在于，所述检测装置包括权利要求1或2所述的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管的栅极与控制端电连接，所述薄膜晶体管的源极与检测信号端电连接，所述薄膜晶体管的漏极与输出端电连接。

4.根据权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括两组源漏极，所述检测信号端包括第一检测信号端和第二检测信号端，所述输出端包括第一输出端和第二输出端；

所述薄膜晶体管的第一源极与所述第一检测信号端电连接，所述薄膜晶体管的第一漏极与所述第一输出端电连接；所述薄膜晶体管的第二源极与所述第二检测信号端电连接，所述薄膜晶体管的第二漏极与所述第二输出端电连接。

5.一种采用权利要求3或4所述的检测装置检测压力或光照的方法，其特征在于，该方法包括：

发送第一控制信号给控制端，以及发送检测信号给检测信号端；

接收输出端输出的感测信号，所述感测信号为所述检测装置在受到压力或者光照作用后使半导体层的载流子迁移率变化而得到的信号；

根据所述检测信号和感测信号，确定压力大小或光照强度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述检测信号和感测信号，确定压力大小或光照强度，包括：

根据所述检测信号、第一输出端输出的第一感测信号，确定压力大小或光照强度；或者，

根据所述检测信号、第二输出端输出的第二感测信号，确定压力大小或光照强度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

发送第二控制信号给所述控制端；

根据所述检测信号和感测信号，确定压力大小或光照强度，包括：

控制信号为第一控制信号时，根据所述检测信号、第一输出端输出的第一感测信号，确定第一感应值；

控制信号为第二控制信号时，根据所述检测信号、第二输出端输出的第二感测信号，确定第二感应值；

根据所述第一感应值和第二感应值，确定压力大小或光照强度。