[发明专利]GaN芯片负压控制电路及设备

说明书

本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路，漏压关断电路，以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管；比较器电路包括第一比较器和第二比较器；第一比较器的输出端连接二极管的负极，输入端连接TDD信号端；第二比较器的输入端接入负压信号；漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端，输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构，解决GaN芯片的供电时序控制问题，保证栅压开启到芯片工作电压后，漏压才开启，有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下，通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换，实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

技术领域

本发明涉及通信电路技术领域，特别是涉及一种GaN(氮化镓)芯片负压控制电路及设备。

背景技术

随着5G(5th-Generation，第五代移动通信技术)移动通信网络的到来，射频前端的工作频率将会越来越高。其中，对于功放芯片来说，传统的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)芯片已经不具有竞争优势。因此，采用GaN材料的功放芯片将成为日后功放的主流。同时，在5G通信频段，由于TDD(Time Division Duplexing，时分双工)的工作模式可以更方便的调节上下行的传输时隙，更有利于波束赋形的应用。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统的GaN芯片控制电路并未提供在TDD模式下的控制方式。

发明内容

基于此，有必要针对传统的GaN芯片控制电路并未提供在TDD模式下的控制方式的问题，提供一种GaN芯片负压控制电路及设备。

为了实现上述目的，一方面，本发明实施例提供了一种GaN芯片负压控制电路，包括比较器电路，漏压关断电路以及二极管；比较器电路包括第一比较器和第二比较器；

第一比较器的输出端连接二极管的负极，其中一个输入端用于连接TDD信号端；第二比较器的其中一个输入端用于接入负压信号；

漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端，输出端用于连接GaN芯片的漏极；二极管的正极用于接入负压信号和连接GaN芯片的栅压管脚。

在其中一个实施例中，漏压关断电路为MOS管开关电路、三极管开关电路或二极管开关电路。

在其中一个实施例中，MOS管开关电路包括基极连接第二比较器的输出端、集电极用于连接第一电源的第一NPN型三极管，基极连接第一NPN型三极管的集电极、集电极用于连接第二电源的第二NPN型三极管，以及栅极连接第二NPN型三极管的集电极、源极用于连接第二电源、漏极用于连接GaN芯片的漏极的P沟道增强型MOS管；

第一NPN型三极管的发射极和第二NPN型三极管的发射极均接地。

在其中一个实施例中，第一比较器的输入端包括第一输入端和第二输入端；第二比较器的输入端包括第三输入端和第四输入端；

第一输入端用于连接TDD信号端；

第二输入端用于连接第一比较电源；

第三输入端用于接入负压信号；

第四输入端用于连接第二比较电源。

在其中一个实施例中，比较器电路为电压双路比较器。

在其中一个实施例中，还包括信号输出端分别连接二极管的正极、第二比较器的输入端的反相放大电路；

反相放大电路的信号输入端用于连接控制单元；控制单元用于输出预设控制电压。

在其中一个实施例中，反相放大电路为双运算放大器；

双运算放大器的负压信号输出端分别连接二极管的正极、第二比较器的输入端，其中一个输入端用于连接控制单元。