[发明专利]GaN芯片负压控制电路及设备

权利要求书

1.一种GaN芯片负压控制电路，其特征在于，包括比较器电路，漏压关断电路以及二极管；所述比较器电路包括第一比较器和第二比较器；

所述第一比较器的输出端连接所述二极管的负极；所述第一比较器的输入端包括第一输入端和第二输入端；所述第二比较器的输入端包括第三输入端和第四输入端；

所述第一输入端用于连接TDD信号端；

所述第二输入端用于连接第一比较电源；

所述第三输入端用于接入负压信号；

所述第四输入端用于连接第二比较电源；

所述漏压关断电路的输入端连接所述第二比较器的输出端，输出端用于连接GaN芯片的漏极；所述二极管的正极用于接入所述负压信号和连接所述GaN芯片的栅压管脚。

2.根据权利要求1所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，所述漏压关断电路为MOS管开关电路、三极管开关电路或二极管开关电路。

3.根据权利要求2所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，所述MOS管开关电路包括基极连接所述第二比较器的输出端、集电极用于连接第一电源的第一NPN型三极管，基极连接所述第一NPN型三极管的集电极、集电极用于连接第二电源的第二NPN型三极管，以及栅极连接所述第二NPN型三极管的集电极、源极用于连接所述第二电源、漏极用于连接所述GaN芯片的漏极的P沟道增强型MOS管；

所述第一NPN型三极管的发射极和所述第二NPN型三极管的发射极均接地。

4.根据权利要求1所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，所述比较器电路为电压双路比较器。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，还包括信号输出端分别连接所述二极管的正极、所述第三输入端的反相放大电路；

所述反相放大电路的信号输入端用于连接控制单元；所述控制单元用于输出预设控制电压。

6.根据权利要求5所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，所述反相放大电路为双运算放大器；

所述双运算放大器的负压信号输出端分别连接所述二极管的正极、所述第三输入端，其中一个输入端用于连接所述控制单元。

7.根据权利要求6所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，所述双运算放大器包括第一运算放大器和第二运算放大器；

所述第一运算放大器的正相输入端用于连接所述控制单元，反向输入端接地，输出端连接所述第二运算放大器的反相输入端；所述第二运算放大器的正相输入端接地，输出端分别连接所述二极管的正极、所述第三输入端。

8.根据权利要求5所述的GaN芯片负压控制电路，其特征在于，还包括分压电阻；

所述反相放大电路的信号输出端通过所述分压电阻分别连接所述二极管的正极、所述第三输入端。

9.一种GaN芯片设备，其特征在于，包括GaN芯片，控制单元，以及连接在所述GaN芯片和所述控制单元之间的、如权利要求1至8任意一项所述的GaN芯片负压控制电路。