[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

- 衬底基板，

- 布置在所述衬底基板上的有源层和源漏极，以及

- 直接布置在所述有源层上且与所述源漏极电连接的导电层，

其中所述有源层和所述导电层的外边缘在同一个刻蚀步骤中形成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述导电层所包含的导电材料的功函数与所述有源层所包含的有源材料的功函数相匹配。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述导电材料是ITO或IZO，并且所述有源材料是IGZO或ITZO。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述导电层在所述衬底基板上的正投影在所述有源层的正投影之内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在背离所述衬底基板的方向上，按顺序布置有所述有源层、所述导电层、栅极和所述源漏极。

6.一种阵列基板，包括根据权利要求1-5中任意一项所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，包括根据权利要求6所述的阵列基板。

8.一种制作薄膜晶体管的方法，包括：

- 形成有源材料层，并在所述有源材料层上形成导电材料层，

- 在所述导电材料层上形成光刻胶，

- 利用半色调掩模对所述光刻胶进行曝光显影，使得所述光刻胶形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶部分保留区，

- 利用同一刻蚀工艺移除所述光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层，

- 部分移除所述光刻胶完全保留区的光刻胶，并完全移除所述光刻胶部分保留区的光刻胶，以及

- 移除所述光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层，以形成导电层。

9.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述利用同一刻蚀工艺移除所述光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层。

10.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述利用同一刻蚀工艺移除所述光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层的步骤包括：用同一种刻蚀液刻蚀所述有源材料层和所述导电材料层。

11.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述有源材料层所包含的有源材料是IGZO或ITZO，并且所述导电材料层所包含的导电材料是ITO或IZO。

12.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述部分移除所述光刻胶完全保留区的光刻胶，并完全移除所述光刻胶部分保留区的光刻胶的步骤包括：照射所述光刻胶完全保留区和所述光刻胶部分保留区并显影，使得所述光刻胶部分保留区的光刻胶完全去除，并且所述光刻胶完全保留区的光刻胶的厚度的部分被去除。

13.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述移除所述光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层的步骤包括：利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层。

14.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述利用同一刻蚀工艺移除所述光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层的步骤与所述移除所述光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层，以形成导电层的步骤采用同一种刻蚀材料。

15.根据权利要求8所述的制作薄膜晶体管的方法，其中所述方法还包括：移除所述光刻胶完全保留区的光刻胶。