[发明专利]一种工艺处理装置

说明书

本发明公开了一种工艺处理装置，涉及液晶显示器和半导体设备的制造工艺技术领域，包括形成对物料进行加工的腔体的壳体，所述壳体设置有物料传输出入口和第一抽排口，所述第一抽排口连接有抽排装置；还包括与所述壳体连接的气密封管路，所述气密封管路包括第一通道和第二通道，第一通道一端与所述物料传输出入口连接，另一端与所述第一抽排口连接；第二通道一端与所述壳体内部连通，另一端与所述第一通道中间连通。本发明通过工艺处理装置中添加气密封管路解决工艺处理装置在壳体内对物料进行加工过程中，有害气体及热量从物料传输出入口泄漏出去污染环境的问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示器和半导体设备的制造工艺技术领域，尤其涉及一种工艺处理装置。

背景技术

在工业加工领域，通常需要在壳体内对物料进行加工，在此过程中，往往容易产生有害气体或大量热量，这些有害气体及热量从物料传输出入口泄漏出去，不仅污染周围环境，而且也会损害工作人员的身体健康。

例如，在液晶显示器和半导体设备的制造工艺中，为了使玻璃基板或硅晶片等基板形成高紧贴薄膜，通常需要使用极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography，EUV)清洁装置去除玻璃基板或硅晶片表面的有机物等污染物。

现有技术中，如图1所示，EUV清洁装置包括壳体1＇，壳体1＇内设置有用于产生紫外光线的光照射装置2＇、以及位于光照射装置2＇下方的物料传输装置3＇，壳体1＇对应物料传输装置3＇的位置设置有物料传输入口11＇和物料传输出口12＇，且壳体1＇上还设置有均连接有抽排装置的第一抽排口13＇和第二抽排口14＇，第一抽排口13＇和第二抽排口14＇分别位于物料传输装置3＇的上方和下方。光照射装置2＇产生紫外光线，通过紫外光线照射清洁装置内的气体而生成自由基氧、臭氧等活性气体最终使物料传输装置3＇上的物料4＇(即被照射基板(玻璃基板或硅晶片))表面的污染物产生光化学反应，从而完成该基板表面的处理。其中第一抽排口13＇用于抽排处理过程中产生的反应性气体，第二抽排口14＇用于抽排处理后产生的污染气体。在抽排装置的作用下虽然能在一定程度上将壳体内部气体，即反应性气体和污染气体抽排到与第一抽排口13＇和第二抽排口14＇连接的抽排装置中，但是由于EUV清洁装置的物料传输入口11＇和物料传输出口12＇为敞开式，仅仅是依靠抽排装置的作用来抽取壳体外部气体，而未对EUV清洁装置进行结构改进，其抽排效果并不理想，而且这些反应性气体和污染气体排放到环境中，不仅污染周围环境，而且也会损害工作人员的身体健康。

目前关于EUV清洁装置的相关专利主要集中在如何提高清洁效率以及提高照射强度等方面，如准分子UV光反应中，提供了如何更有效率地将反应性气体集中供应到EUV紫外灯正下方活性区域，并在供应反应性气体的活性区域以外的空间用氮气或非活性气体加以充满，将已反应的不需要的气体迅速的自反应区域加以排出。而对于EUV清洁装置的壳体内部气体(有害气体)从物料传输入口11＇和物料传输出口12＇泄露等环保性方面的改进有所欠缺。

针对上述问题，亟需提供一种工艺处理装置，以改善现有工艺处理装置在对物料进行工艺处理时，壳体内部的有害气体或热量从物料传输出入口泄漏到空气中污染环境以及威胁人体健康的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺处理装置，以解决工艺处理装置在对物料进行工艺处理时，壳体内部的有害气体及热量从物料传输出入口泄漏出去污染环境以及威胁人体健康的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种工艺处理装置，包括形成对物料进行加工的腔体的壳体，所述壳体上设置有物料传输出入口和第一抽排口，所述第一抽排口连接有抽排装置；并且还包括与所述壳体连接的气密封管路，所述气密封管路包括：

第一通道，其一端连接所述物料传输出入口连接，另一端与所述第一抽排口连接；

第二通道，其一端与所述壳体内部连通，另一端与所述第一通道中间连通。