[发明专利]一种超薄淋浆施釉工艺

权利要求书

1.一种超薄淋浆施釉工艺，所述超薄淋浆施釉工艺包含以下步骤：

(1)、制备瓷质砖底坯，备用；所述底坯成份配比如下，烧失：5.02wt％；二氧化硅：35.45wt％；三氧化二铝：35.96wt％；氧化钙：10.44wt％；氧化镁：3.67wt％；氧化钾：2.59wt％；氧化钠：0.29wt％；氧化锌：0.89wt％；氧化锆：4.56wt％；

(2)、配制面浆料，备用；先制备W釉浆，其配比范围如下：高温亚光透明耐磨熔块A：57～61％；亚面透明釉B：39～43％；水：40～42％；羧甲基纤维素钠：0.2～0.3％；三聚磷酸钠：0.3～0.38％；W釉浆的加工细度可为325目筛余0.2～0.6％，再用W釉浆来配制超薄淋浆L釉料，即制成复合釉浆，L釉配料比为：W釉浆143，干粒10，助淋剂90，复合釉浆比重1.45-1.46，流速40-50秒/杯L；

(3)、第一次干燥：将步骤(1)的底坯输送入120℃-220℃的干燥窑中烘干，周期为60-100分钟；

(4)、二次淋施面浆料：采用二次淋施，在烘干后的底坯表面喷淋16-22g/m2水后到达第一次淋浆位，按320-450g/m2的用量瀑布式淋施面浆料，经过约10-20秒的传输时间，到达第二次淋浆位，按320-550g/m2的用量瀑布式淋施面浆料；

(5)、第二次干燥：对已淋施了面浆料的坯体再传输进120℃-220℃的干燥窑中，干燥周期为35-45分钟；

(6)、3D全彩高清打印机喷印：在烘干了面浆层的坯体表面，按设计文件喷印数码图案的渗透墨水和助渗剂；

(7)、烧成：在最高温达1160℃-1220℃的窑炉中烧制而成，周期为60-80分钟；

(8)、冷却、抛光：采用柔抛或全抛以及磨边后，得到抛面陶瓷砖成品。

2.根据权利要求1所述的一种超薄淋浆施釉工艺，其特征在于，所述3D全彩高清打印机中使用了渗透墨水和助渗剂，所述渗透墨水是由Fe、Co和Cr形成的有机酸盐和酯的混合物；助渗剂是由有机酸和酯形成的混合物。

3.根据权利要求1或2所述的一种超薄淋浆施釉工艺，其特征在于，步骤(4)中，具体底釉表面喷淋采用55g/m2水后到达第一次淋浆位，按435g/m2的用量瀑布式淋施面浆a(前面没有出现面浆a)。

4.根据权利要求3所述的一种超薄淋浆施釉工艺，其特征在于，将坯体放置于常温下，周期为30分钟，以利于墨水下渗。

5.根据权利要求1-2任一项所述的一种超薄淋浆施釉工艺，其特征在于，所述柔抛，具体为，包括三个步骤，步骤1中使用弹性特征的磨具作为磨具抛光，其中，所述具有弹性特征的磨具具有抛光介质，该抛光介质使用树脂粘结的磨料，该磨料细度为128目，步骤2中使用研磨擦作为抛光磨具抛光，所述研磨擦的磨料细度为320目，步骤3中使用抛光片作为抛光磨具抛光，该研磨片的磨料细度为500目。

6.根据权利要求5所述的一种超薄淋浆施釉工艺，其特征在于，其中，所述研磨擦上设有用于抛磨的刷毛，所述刷毛是由硬质塑料和磨料构成。