[发明专利]防滑地砖的制备方法及防滑地砖

权利要求书

1.一种防滑地砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.坯体成型，进行第一次干燥处理，得到地砖毛坯，向所述地砖毛坯的表面淋底釉，然后进行喷墨印花，并进行第二次干燥处理；

B.喷防滑釉，所述防滑釉厚度为1-5mm，得到预制砖；

所述防滑釉含有熔块，所述熔块的制备方法包括以下步骤，将基础干粒、配合干粒和功能干粒混合后，所述基础干粒、所述配合干粒和所述功能干粒的质量比为5:4:1，在1700-1800℃下加热5min；

然后骤冷处理至常温，再粉碎至150-250目；

所述基础干粒以质量分数计包括：SiO₂52％、Al₂O₃19％、Fe₂O₃0.05％、CaO11％、MgO3.3％、K₂O5.9％、Na₂O5.55％、ZnO3.2％；

所述配合干粒以质量分数计包括：SiO₂54.5％、Al₂O₃15％、Fe₂O₃0.1％、CaO8.2％、MgO2.5％、K₂O7.5％、Na₂O9％、ZnO2.5％、CuO0.5％、CoO0.2％；

所述功能干粒以质量分数计包括SiO₂51.5％、Al₂O₃23％、Fe₂O₃0.3％、CaO13.5％、MgO3.3％、K₂O3％、Na₂O2.6％、ZnO2.2％、Pr₆O₁₁0.3％、La₂O₃0.2％、Ce₂O₃0.1％；

所述基础干粒的粒径为100-200目、所述配合干粒的粒径为200-250目和所述功能干粒的粒径为250-300目；

C.所述预制砖放入窑炉进行第一次烧制，经过第一次程序升温至400℃烧制；然后进行第一次程序降温，降至80℃后，放入窑炉进行第二次烧制，经过第二次程序升温至1200℃烧制；然后进行第二次程序降温，降至80℃；

所述第一次程序升温为：先用10min升至150℃，维持5min，再用15min升至300℃，维持15min，然后用5min升至400℃，维持30min；所述第二次程序升温为：第一阶段用10min升至300℃，维持5min，第二阶段用5min升至600℃，维持20min，第三阶段用30min升至1200℃，维持2h；

所述第一次程序降温为：先用10min降至350℃，然后用30min降至300℃，再用50min降至150℃，最后在70min内降至80℃；所述第二次程序降温为：先用60min降至1000℃，然后用60min降至700℃，再用60min降至300℃，最后用60min降至80℃；

D.放入含有二氧化碳的氮气氛围内冷却至常温，所述二氧化碳的体积分数为5-8％，得到半成品，所述半成品经过磨边检质后得到成品。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次干燥的温度为100-180℃，所述第二次干燥在恒温环境中进行，温度为180℃，变化值正负均不超过0.1℃。

3.一种防滑地砖，其特征在于，由权利要求1-2任一项所述的方法制得。