[发明专利]显示面板及其制造方法有效
| 申请号: | 201810701540.0 | 申请日: | 2018-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN108962946B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 方宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
一种显示面板,包括显示区域及弯折区域。所述显示面板包含一柔性基板;一蚀刻阻挡层,设于所述柔性基板上;一无机材料功能层,设于所述蚀刻阻挡层上,所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域;一平坦层,设于所述无机材料功能层上;及阳极及像素定义层,依序形成于所述平坦层上。所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层上的沟槽,其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层,所述沟槽内填充有聚合物材料,所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种柔性显示面板及其制造方法。
【背景技术】
目前市场上小尺寸手机显示屏的主流方向是全面屏显示,不断推出屏占比高的产品,对于全面屏产品的开发和产品品质要求不断提高。在全面屏开发中,柔性显示凭借其可弯折的特性具有更多优势。
如图1所示,目前为了提高柔性显示屏的屏占比,普遍采用衬底弯折(padbending)技术将屏幕91直接弯折而形成弯折部92。所述弯折部92弯折到屏幕91的背后,用以减小下边缘(border)长度,从而增大屏占比。在pad bending制程中会涉及到无机膜层的大深度蚀刻,蚀刻深度的均匀性(uniformity)的制程控制较为困难。在蚀刻过程中,很容易会蚀刻到聚亚酰胺(Polyimide,PI)基板表面,造成聚亚酰胺质量损失(PI loss)以及聚亚酰胺溢气(PI outgassing)等情况,会减短设备預防性维护(Preventive Maintenance,PM)间隔时间,产能大大受到限制。同时outgassing会造成薄膜晶体管(TFT)特性不稳定,影响到产品良率。若是蚀刻量不足,则模组弯折效果不佳,易于弯折时造成无机层的金属剥离(metal peeling)的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板,其适用于柔性显示器,以解决现有技术在蚀刻过程中,尤其在衬底弯折(pad bending)制程中,很容易会蚀刻到聚亚酰胺(Polyimide,PI)基板表面,造成聚亚酰胺质量损失以及聚亚酰胺溢气情况,进而影响到产品良率及减短产品使用寿命的问题。
为实现上述目的,本发明提供一显示面板,包括显示区域及弯折区域,其特征在于所述显示面板包含:
一柔性基板;
一蚀刻阻挡层,设于所述柔性基板上;
一无机材料功能层,设于所述蚀刻阻挡层上,所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区;
一平坦层,设于所述无机材料功能层上;及
阳极及像素定义层,依序形成于所述平坦层上;
其中所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层上的沟槽,其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层,所述沟槽内填充有聚合物材料,所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。
在一优选实施例中,所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝,且所述柔性基板包括一基板及一设于所述基板上的第一聚酰亚胺层。
在一优选实施例中,所述无机材料功能层包括第一屏障层,设于所述蚀刻阻挡层上;一缓冲层,其设于所述第一屏障层上;及一结构膜层,设于所述无机材料缓冲层上。
在一优选实施例中,所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层,且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一及第二屏障层之间。
在一优选实施例中,所述第一屏障层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
在一优选实施例中,所述缓冲层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
在一优选实施例中,所述结构膜层包括有多晶硅层、栅极层及介电层。
在一优选实施例中,所述蚀刻阻挡层和所述柔性基板之间更沉积一层氮化硅层或氧化硅层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





