[发明专利]显示面板及其制造方法有效
| 申请号: | 201810701540.0 | 申请日: | 2018-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN108962946B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 方宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,包括显示区域及弯折区域,其特征在于,所述显示面板包含:
一柔性基板;
一蚀刻阻挡层,设于所述柔性基板上;
一无机材料功能层,设于所述蚀刻阻挡层上,所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域;
一平坦层,设于所述无机材料功能层上;及
阳极及像素定义层,依序形成于所述平坦层上;
其中所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层上的沟槽,其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层,所述沟槽内填充有聚合物材料,所述弯折区域及显示区域通过信号线连接,其中所述柔性基板包括基板及设于所述基板上的第一聚酰亚胺层,且所述蚀刻阻挡层位于所述第一聚酰亚胺层及所述沟槽之间。
2.如权利要求1的显示面板,其特征在于,所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝。
3.如权利要求1的显示面板,其特征在于,所述无机材料功能层包括第一屏障层,设于所述蚀刻阻挡层上;一缓冲层,其设于所述第一屏障层上;及一结构膜层,设于所述缓冲层上。
4.如权利要求3的显示面板,其特征在于,所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层,且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一屏障层和第二屏障层之间。
5.如权利要求3的显示面板,其特征在于,所述第一屏障层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
6.如权利要求3的显示面板,其特征在于,所述缓冲层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
7.如权利要求3的显示面板,其特征在于,所述结构膜层包括多晶硅层、栅极层及介电层。
8.如权利要求1的显示面板,其特征在于,所述蚀刻阻挡层和所述柔性基板之间更沉积一层氮化硅层或氧化硅层。
9.一种制造显示面板的方法,所述显示面板包括显示区域及弯折区域,其特征在于所述方法包含:
提供一柔性基板;
在所述柔性基板上镀上一蚀刻阻挡层;
在所述蚀刻阻挡层上形成一无机材料功能层,所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域;
在所述无机材料功能层上形成一平坦层,阳极及像素定义层;及
在所述弯折区域形成位在所述蚀刻阻挡层上的沟槽,其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层,并于沟槽内填充有聚合物材料,所述弯折区域及显示区域通过信号线连接,其中所述柔性基板包括基板及设于所述基板上的第一聚酰亚胺层,且所述蚀刻阻挡层位于所述第一聚酰亚胺层及所述沟槽之间。
10.如权利要求9的制造显示面板的方法,其特征在于,所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝。
11.如权利要求9的制造显示面板的方法,其特征在于,所述无机材料功能层包括第一屏障层,设于所述蚀刻阻挡层上;一缓冲层,设于所述第一屏障层上,及一结构膜层,设于所述缓冲层上。
12.如权利要求11的制造显示面板的方法,其特征在于,所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层,且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一及第二屏障层之间。
13.如权利要求11的制造显示面板的方法,其特征在于,所述结构膜层包括有多晶硅层、栅极层及介电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810701540.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板及电子设备
- 下一篇:一种柔性显示面板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





