[发明专利]一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料制备方法与应用

权利要求书

1.一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、按照硝酸铟:间苯二酚:N，N-二甲基甲酰胺:丙酮＝1:0.1～0.8:50～150:50～100的重量比，将硝酸铟、间苯二酚、N，N-二甲基甲酰胺、丙酮混合到一起，并搅拌0.1～2h，加入去离子水，然后置于80～200℃的密闭环境中反应0.5～24h，再进行固液分离和洗涤，从而制得三维网状结构的铟系有机框架纳米片；

步骤B、将所述三维网状结构的铟系有机框架纳米片分散到丙酮中，并控制其浓度为0.05～2.5mg/mL，搅拌10～60min，然后加入硝酸钯，并搅拌1～24h，再进行固液分离和洗涤，从而制得钯离子修饰的三维网状结构的铟系有机框架纳米片；其中，所述硝酸钯的用量是所述三维网状结构的铟系有机框架纳米片质量的0.001～0.5倍；

步骤C、将所述钯离子修饰的三维网状结构的铟系有机框架纳米片在空气中进行煅烧，煅烧温度为400～800℃，升温速率为1～10℃/min，煅烧时间为0.1～10h，从而制得氧化钯颗粒修饰的三维网状结构的氧化铟纳米片复合材料；

步骤D、采用还原性气体对所述氧化钯颗粒修饰的三维网状结构的氧化铟纳米片复合材料进行气体还原处理，还原温度为150～500℃，升温速率为1～10℃/min，还原时间为0.1～10h，从而制得钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料。

2.根据权利要求1所述的钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤A中，所述去离子水的用量是所述硝酸铟质量的0.001～0.1倍。

3.根据权利要求1或2所述的钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤D中，所述还原性气体为H₂/Ar、H₂/N₂、H₂/He中的至少一种。

4.一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料，其特征在于，采用上述权利要求1至3中任一项所述的钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料的制备方法制备而成。

5.根据权利要求4所述的钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料，其特征在于，所述的钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料中，钯纳米颗粒的粒度为1～3nm，氧化铟纳米片的厚度为3～10nm。

6.一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料的应用，其特征在于，将上述权利要求4至5中任一项所述的钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料用作电阻型金属氧化物气体传感器的传感层，用于对二硫化碳气体进行超灵敏和高选择检测。