[发明专利]芯片切割清洗液及该清洗液制作工艺

说明书

本发明所涉及一种芯片切割清洗液，包括有表面活性剂,无机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。当切割刀与芯片接触时，通过高压泵把芯片切割清洗液与纯净水稀释后形成混合液喷淋到切割刀与芯片接触的相交处，该混合液能够均匀扩散到整个芯片表面，将残留于芯片表面污垢分解去除，达到芯片表面清洁能力。混合液中无机清洁剂有效成分能够快速冷却切割刀与芯片接触摩擦产生热量，有利于延长切割刀的使用寿命。混合液中有机溶剂有效成分具有高度的润滑性能，防止芯片切割时崩边现象发生。混合液中有效成分还具有防止氧化功能，防止静电电击功能，节约成本，节能环保功能。本发明还具有操作简单，加工方便的功能。

【技朮领域】

本发明涉及一种半导体技术领域，具体是一种用于集成电路封装领域的芯片切割清洗液及该清洗液制作工艺。

【背景技朮】

随着微处理器和PC机的广泛应用和普及于通信，工业控制，消费电子等领域，IC产业已经开始进入以客户为导向的阶段，标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本，可靠性等要求，同时整机客户要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能，增强产品市场竞争力。然而，在加工小型芯片的过程中，一般情况都是采用金刚石划片刀，利用高速旋转的刀具转动，带动设置于刀具上的刀片对被切割的芯片进行切削动作，实现分离动作。在分离动作过程，容易使得芯片表面残留蜡层、脏污以及电路氧化残留物等杂物质。该残留杂质中含有活性氧化成分，该活性氧化成分长期依附于芯片表面，容易导致氧化芯片表面一些物质，在污垢杂质重力作用下,甚至很可能驱使所述芯片边缘产生崩边的现象发生。

【发明内容】

有鉴于此，本发明技术目的是为了解决上述现有技术存在的问题而提供一种具有节能环保的芯片切割清洗液，该芯片切割清洗液不仅具有芯片表面清洁能力，延长切割刀的使用寿命，防止设置于芯片上金属线路被氧化功能，而且还具有防止芯片在切割时芯片崩边现象发生，防止静电电击功能。

本发明技术目的还提供一种操作简单，加工方便的芯片切割清洗液制作工艺。

为此解决上述技术问题，本发明中的技术方案所采用一种芯片切割清洗液，其包括表面活性剂,无机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有十二烷基苯磺酸钠，脂肪酸聚氧乙烯醚，椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，吐温-80，司潘-80，油酸钠；无机清洁剂包含有柠檬酸钾，焦磷酸钾，碳酸钠，碳酸氢钠，葡萄糖酸钠；有机溶剂包含有聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560。

依据上述主要技术特征，所述十二烷基苯磺酸钠为0.10千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.10千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.10千克，所述吐温-80为0.10千克，所述司潘-80为0.10千克，所述油酸钠为0.10千克。

依据上述主要技术特征，所述柠檬酸钾为0.050千克，所述焦磷酸钾为0.05千克，所述碳酸钠为0.05千克，所述碳酸氢钠为0.05千克，所述葡萄糖酸钠为0.050千克。

依据上述主要技术特征，所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；所述苯并三氮唑为0.5千克；所述KH550为0.5千克，所述KH560为0.05千克。

一种芯片切割清洗液制作工艺，其工艺流程为：先将已经制备好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子水，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品芯片切割清洗液。