[发明专利]芯片切割清洗液及该清洗液制作工艺

权利要求书

1.一种芯片切割清洗液，其包括表面活性剂,无机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有十二烷基苯磺酸钠，脂肪酸聚氧乙烯醚，椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，吐温-80，司潘-80，油酸钠；无机清洁剂包含有柠檬酸钾，焦磷酸钾，碳酸钠，碳酸氢钠，葡萄糖酸钠；有机溶剂包含有聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560。

2.如权利要求1所述的芯片切割清洗液，其特征在于：所述十二烷基苯磺酸钠为0.10千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.10千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.10千克，所述吐温-80为0.10千克，所述司潘-80为0.10千克，所述油酸钠为0.10千克。

3.如权利要求1所述的芯片切割清洗液，其特征在于：所述柠檬酸钾为0.050千克，所述焦磷酸钾为0.05千克，所述碳酸钠为0.05千克，所述碳酸氢钠为0.05千克，所述葡萄糖酸钠为0.050千克。

4.如权利要求1所述的芯片切割清洗液，其特征在于：所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；所述苯并三氮唑为0.5千克；所述KH550为0.5千克，所述KH560为0.05千克。

5.一种如权利要求1所述芯片切割清洗液制作工艺，其工艺流程为：先将已经制备好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子水，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品芯片切割清洗液。

6.如权利要求5所述的芯片切割清洗液制作工艺，其特征在于：将0.05千克的柠檬酸钾溶液，0.05千克的焦磷酸钠溶液，0.05千克的葡萄糖酸钠溶液，以及1.0千克质量和1.0L体积的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液。

7.如权利要求5所述的芯片切割清洗液制作工艺，其特征在于：将1.0L体积和1.0千克质量的去离子水加入反应釜中，缓慢加入0.10千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.10千克的十二烷基苯磺酸钠，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.10千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液。

8.如权利要求5所述的芯片切割清洗液制作工艺，其特征在于：先将预先打入计量槽的去离子水3.0L加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚溶液，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液。

9.如权利要求5所述的芯片切割清洗液制作工艺，其特征在于：将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液。

10.如权利要求5所述的芯片切割清洗液制作工艺，其特征在于：将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子水加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液。