[发明专利]显示面板及其制备方法、阵列基板有效
申请号: | 201810698921.8 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN109100893B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张海杰;陈小静 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 阵列 | ||
本发明涉及显示面板技术领域,公开了一种显示面板的制备方法、阵列基板以及显示面板。该制备方法包括:提供一基板;在基板上形成电极;在基板上形成电极保护结构,电极保护结构包覆电极设置。通过上述方式,本发明能够保护电极,使其不被过度刻蚀。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种显示面板的制备方法、阵列基板以及显示面板。
背景技术
TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)是在Si上进行微电子精细加工的技术,移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工,再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板,利用已成熟的LCD技术,形成一个液晶盒相结合,再经过后工序如偏光片贴覆等过程,最后形成液晶显示器。
低温多晶硅技术LTPS(Low Temperature Poly-silicon)是薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中,利用准分子镭射作为热源,镭射光经过投射系统后,会产生能量均匀分布的镭射光束,投射于非晶硅结构的玻璃基板上,当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后,会转变成为多晶硅结构。其能够降低显示屏的能耗,令显示屏显得更薄更轻。
而在LTPS TFT LCD in-cell工艺中,即将触摸面板功能嵌入到液晶像素。刻蚀touch line结构所使用的药液会对电极造成侧向侵蚀,对产品品质造成不良影响。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板的制备方法、阵列基板以及显示面板,能够保护电极,使其不被过度刻蚀。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种显示面板的制备方法,该制备方法包括:提供一基板;在基板上形成电极;在基板上形成电极保护结构,电极保护结构包覆电极设置。
在本发明的一实施例中,在基板上形成电极保护结构的步骤具体包括:在基板上形成一金属层,金属层覆盖电极以及基板表面;在金属层上对应电极的区域形成一掩膜结构;在金属层上除掩膜结构之外的区域涂布刻蚀药液,以对金属层进行图案化处理,形成电极保护结构。
在本发明的一实施例中,电极在掩膜结构所处平面上的投影处于掩膜结构内。
在本发明的一实施例中,金属层的材质为铝,刻蚀药液为对应金属层的铝酸刻蚀药液。
在本发明的一实施例中,在金属层上对应电极的区域形成一掩膜结构的步骤具体包括:在金属层上涂布光刻胶,形成光刻胶层;在光刻胶层远离金属层的一侧设置一掩膜板,掩膜板包括对应电极的目标掩膜区域,目标掩膜区域的透光率不同于掩膜板上除目标掩膜区域之外的区域;利用掩膜板对光刻胶层进行曝光处理;之后对光刻胶层进行显影处理,以形成掩膜结构。
在本发明的一实施例中,电极在目标掩膜区域所处平面上的投影处于目标掩膜区域内。
在本发明的一实施例中,光刻胶为正性光阻材料,目标掩膜区域的透光率小于掩膜板上除目标掩膜区域之外的区域;或光刻胶为负性光阻材料,目标掩膜区域的透光率大于掩膜板上除目标掩膜区域之外的区域。
在本发明的一实施例中,电极包括第一钛金属层、铝金属层以及第二钛金属层,第一钛金属层、铝金属层以及第二钛金属层沿远离基板的方向依次层叠设置。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种阵列基板,该阵列基板包括电极以及电极保护结构,电极以及电极保护结构由如上述实施例所阐述显示面板的制备方法制得。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种显示面板,该显示面板包括如上述实施例所阐述的阵列基板。
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