[发明专利]显示面板及其制备方法、阵列基板有效
申请号: | 201810698921.8 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN109100893B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张海杰;陈小静 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 阵列 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供一基板;
在所述基板上形成电极;
在所述基板上形成电极保护结构,所述电极保护结构包覆所述电极设置,所述电极保护结构用于在刻蚀触控线路的过程中将所述电极和刻蚀药液隔离;
所述在所述基板上形成电极保护结构的步骤具体包括:
在所述基板上形成一金属层,所述金属层覆盖所述电极以及所述基板表面;
在所述金属层上对应所述电极的区域形成一掩膜结构;
在所述金属层上除所述掩膜结构之外的区域涂布刻蚀药液,以对所述金属层进行图案化处理,形成所述电极保护结构;
所述电极在所述掩膜结构所处平面上的投影处于所述掩膜结构内;
所述在所述金属层上对应所述电极的区域形成一掩膜结构的步骤具体包括:
在所述金属层上涂布光刻胶,形成光刻胶层;
在所述光刻胶层远离所述金属层的一侧设置一掩膜板,所述掩膜板包括对应所述电极的目标掩膜区域,所述目标掩膜区域的透光率不同于所述掩膜板上除所述目标掩膜区域之外的区域;
利用所述掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理;之后
对所述光刻胶层进行显影处理,以形成所述掩膜结构;
所述电极在所述目标掩膜区域所处平面上的投影处于所述目标掩膜区域内。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属层的材质为铝,所述刻蚀药液为对应所述金属层的铝酸刻蚀药液。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述光刻胶为正性光阻材料,所述目标掩膜区域的透光率小于所述掩膜板上除所述目标掩膜区域之外的区域;或
所述光刻胶为负性光阻材料,所述目标掩膜区域的透光率大于所述掩膜板上除所述目标掩膜区域之外的区域。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电极包括第一钛金属层、铝金属层以及第二钛金属层,所述第一钛金属层、所述铝金属层以及所述第二钛金属层沿远离所述基板的方向依次层叠设置。
5.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括电极以及电极保护结构,所述电极以及所述电极保护结构由如权利要求1至4任一项所述显示面板的制备方法制得。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求5所述的阵列基板。
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