[发明专利]镀膜系统及基板处理方法

权利要求书

1.一种镀膜系统，其特征在于，包括：

镀膜腔室；

基板承载装置，所述基板承载装置位于所述镀膜腔室内，用于承载基板；所述基板承载装置包括旋转支架和基板载具，其中，所述旋转支架的一端与所述镀膜腔室的顶壁相连接，另一端与所述基板载具相连接，通过所述旋转支架的旋转可以调整所述基板的方向；

抽气装置，所述抽气装置与所述镀膜腔室相连通，以对所述镀膜腔室进行抽气操作；清洁装置，用于在大气状态下于所述基板表面形成负压以对所述基板表面进行清洁后，在真空状态下向所述基板表面喷射清洁气体以对所述基板表面进行清洁，所述清洁装置包括负压吸附装置，所述负压吸附装置包括抽气泵以及和所述抽气泵相连接的负压吸附管；

粒子计数器，所述粒子计数器与所述负压吸附装置相连接，用于在所述负压吸附装置对所述基板表面进行清洁的过程中，对所述负压吸附装置内的粒子数量进行计量。

2.根据权利要求1所述的镀膜系统，其特征在于：所述负压吸附管的管口直径介于0.5～10cm之间。

3.根据权利要求1或2任一项所述的镀膜系统，其特征在于：所述清洁装置还包括风枪，所述风枪的出气口位于所述镀膜腔室内，且朝向所述基板，所述风枪用于在真空状态下向所述基板表面喷射清洁气体，以对所述基板表面进行清洁。

4.根据权利要求3所述的镀膜系统，其特征在于：所述风枪为离子风枪。

5.根据权利要求1所述的镀膜系统，其特征在于：所述基板载具与所述旋转支架活动连接。

6.一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法基于权利要求1-5任一项所述的镀膜系统进行，所述基板处理方法包括步骤：

1)将待处理的基板装载于基板承载装置上并使镀膜腔室处于非密闭状态；

2)在大气状态下于所述基板表面形成负压以对所述基板表面进行负压清洁；

3)使所述镀膜腔室处于密闭状态并对所述镀膜腔室进行抽气至第一真空度；

4)在第一真空度状态下向所述基板表面喷射清洁气体，以对所述基板表面进行清洁；

在负压吸附装置对所述基板表面进行清洁的过程中，对所述负压吸附装置内的粒子数量进行计量。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：所述第一真空度不高于1000Pa。

8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：所述步骤2)中，对所述基板进行负压清洁的时间为2～10分钟；所述步骤4)中，对所述基板进行清洁的时间为2～10分钟。