[发明专利]一种带纠错和压缩电路的磁性随机存储器有效
申请号: | 201810698448.3 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN110660421B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 王春林;戴瑾 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纠错 压缩 电路 磁性 随机 存储器 | ||
1.一种磁性随机存储器,其特征在于,包括存储单元阵列、错误检测和矫正电路、压缩和解压缩电路、控制电路、状态位缓存、数据缓存;
进行读取操作步骤如下:在所述存储单元阵列中取得第一压缩数据,所述第一压缩数据经过所述错误检测和矫正电路处理,处理后的所述第一压缩数据经所述压缩和解压缩电路进行解压缩,获得第一数据并输出;
进行写入操作步骤如下:要写入的第二数据经过所述压缩和解压缩电路压缩,获得第二压缩数据,将所述第二压缩数据经过所述错误检测和矫正电路处理后写入所述存储单元阵列中;
其中,所述存储单元阵列分为多个数据块,每个所述数据块是所述存储单元阵列的一行的部分、完整一行或者完整多行,每个所述数据块有N个比特;
其中,读取数据时,所述控制电路首先查看该数据是否在所述数据缓存中:如在,直接将该数据返回给外部电路;如不在,所述控制电路首先从所述状态位缓存读取该数据对应的压缩状态位,然后决定从所述存储单元阵列中读取的数据比特位数M,M个比特被全部从所述存储单元阵列中读出,得到所述第一压缩数据。
2.根据权利要求1所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,写入数据时,所述控制电路首先查看该数据是否在所述数据缓存中:如在,直接将要写入数据合并到所述数据缓存中;如不在,若某个所述数据块的N个比特位全部需写入,所述第二数据经过所述压缩和解压缩电路压缩得到M位的所述第二压缩数据,并将对应的压缩状态位写入所述状态位缓存。
3.根据权利要求1所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,写入数据时,若某个所述数据块中仅部分比特位需写入且不在所述数据缓存中,则将所述第二数据暂存在所述数据缓存中。
4.根据权利要求3所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,通过所述控制电路将对应的状态位缓存中的状态位读出以决定要从所述存储单元阵列中读取的数据比特位数M。
5.根据权利要求4所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,所述控制电路从所述存储单元阵列中将M比特数据读出,并经过所述错误检测和矫正电路处理,然后经过所述压缩和解压缩电路解压缩。
6.根据权利要求5所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,将经过解压缩的数据与需写入的数据合并,然后将合并后的新数据经过所述压缩和解压缩电路压缩,压缩后的状态位写入所述状态位缓存中,压缩后的数据经过所述错误检测和矫正电路进行处理后写入所述存储单元阵列中。
7.根据权利要求1所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,所述错误检测和矫正电路与所述压缩和解压缩电路共享所述数据缓存和所述控制电路。
8.根据权利要求1所述的一种磁性随机存储器,其特征在于,当有间隔较近的同一地址重复读写时,数据可以直接合并到所述数据缓存中,从而进一步减少对所述存储单元阵列的读写操作。
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