[发明专利]柔性AMOLED显示面板及其制造方法在审
| 申请号: | 201810698135.8 | 申请日: | 2018-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN108899340A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 白思航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缓冲层 阶梯槽 介电层 缓冲区 基板 栅极绝缘层 非显示区 绑定区 基板连接 间隔设置 阶梯结构 依次层叠 槽侧壁 金属层 金属区 显示区 凹设 底壁 覆盖 制造 | ||
本发明提供的柔性AMOLED显示面板,包括基板,所述基板上包括显示区和非显示区,位于所述非显示区上,所述基板上依次层叠有缓冲层、栅极绝缘层及介电层;还包括由所述介电层向所述缓冲层凹设的阶梯槽,所述阶梯槽的两个相对槽侧壁为缓冲层、栅极绝缘层、介电层形成的阶梯结构,所述阶梯槽的底壁包括多个间隔设置的绑定区,所述介电层上及阶梯槽内还层叠有金属层,每个绑定区包括与所述基板连接的缓冲区和覆盖所述缓冲区上的金属区,其中,所述缓冲区为缓冲层的一部分。
技术领域
本发明涉及液晶显示屏制造技术领域,特别涉及一种柔性AMOLED显示面板及其制造方法。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode)显示屏以其轻薄,可弯折,不易碎,可穿戴等优点成为下一代显示技术的杰出代表,为了提高绑定区的弯折性能,业内采用在绑定区多步蚀刻的方式去除无机膜层,相应的采用应力较小的有机膜层取代,提高产品的弯折性能和稳定性。而现有技术的采用有机材料填充无机材料时,需要找到性能参数匹配的有机材料,尤其需要考虑适应后续制程中耐高温性能,吸水性以及介电常数等性能,因此增加了AMOLED制作难度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高弯折性能且工艺简单的柔性AMOLED显示面板。
本发明提供一种柔性AMOLED显示面板制作方法。
本发明所述的柔性AMOLED显示面板,包括基板,所述基板包括显示区和非显示区,位于所述非显示区上,所述基板上依次层叠有缓冲层、栅极绝缘层及介电层以及由所述介电层向所述缓冲层凹设的阶梯槽,所述阶梯槽的两个相对槽侧壁的为所述缓冲层、栅极绝缘层、介电层形成的阶梯结构,所述阶梯槽的底壁为所述缓冲层凹设形成,所述介电层上及阶梯槽内还层叠有金属走线层,所述金属走线层覆盖所述介电层和阶梯槽的底壁和槽侧壁。
其中,所述阶梯槽的底壁上设有多个间隔的缺口,所述金属走线层的走线包括多个间隔通孔,所述缺口与所述通孔相对且贯通。
其中,所述栅极绝缘层上凹设有第一通槽,介电层上凹设有第三通槽和位于第三通槽内的第二通槽,所述凹槽、第一通槽,第二通槽和第三通槽沿着垂直所述基板的方向依次连通形成所述阶梯槽;露出所述第一通槽的缓冲层为第一台阶,露出所述第二通槽的栅极绝缘层为第二台阶,露出第三通槽的部分介质层为第三台阶,所述介质层与金属层连接的部分为第四台阶,所述金属层覆盖所述第一台阶、第二台阶、第三台阶及第四台阶。
其中,所述基板包括两层柔性材料层和层叠于两层柔性材料层之间的隔热层。
其中,所述阶梯槽的底壁的厚度为200nm。
本发明所述的柔性AMOLED显示面板制作方法,包括在基板上依次形成缓冲层、栅极绝缘层和介电层;
通过图案化工艺在所述介电层上形成第三通槽,其中第三通槽贯穿部分介电层;
对露出所述第三通槽的另一部分介电层进行图案化,形成贯穿介电层的第二通槽;
对露出所述第二通槽的栅极绝缘层进行图案化,在所述栅极绝缘层上形成第一通槽;
对露出所述第一通槽的缓冲层进行图案化,在所述缓冲层上形成凹槽,其中凹槽的底壁为部分缓冲层,所述凹槽、第一通槽、第二通槽、第三通槽形成阶梯槽;
在所述阶梯槽内及介电层上形成金属走线层,其中所述金属走线层的走线设有多个通孔,
对位于露出所述通孔的凹槽的底壁进行光罩,形成多个间隔设置的的缺口。
其中,对露出所述第一通槽的缓冲层进行图案化,在所述缓冲层上形成凹槽的步骤中,所述凹槽的底壁为被图案化后剩余的缓冲层,其厚度为200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





