[发明专利]芯片测试方法有效

专利信息
申请号: 201810697537.6 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN109085488B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 周琛杰 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 测试 方法
【说明书】:

发明公开了一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存。测试时,利用静电针把pad放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。测试完成之后,利用FIB切断pad与信号线的连接,使用静电针将pad回收保存,以便下次再用。本方法可以节省淀积pad的时间,pad还能反复利用,节约了时间成本和材料成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造与测试领域,特别是指一种芯片测试方法。

背景技术

当需要获取芯片中某一金属线上的波形时,须用FIB对芯片进行线路修改,将信号引出,再用Pt淀积出一个pad,便于probe及测量,如图1所示,是利用Pt淀积的pad的显微照片,图中下方的大面积矩形为pad。

传统的做法:

每引出一个信号,就要使用FIB的Pt淀积功能,相应地淀积出一个pad用于探针的接触,pad的大小一般为:30um×30um×1um左右,每个pad的淀积时间一般为一个小时左右。

当需要淀积多个pad时,就需要耗费大量时间以及FIB的Pt原料,时间成本和材料成本都很高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种芯片测试方法。

为解决上述问题,本发明所述的一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,然后去除氧化膜,使pad掉落,利用静电探针将pad拾起并保存。

进一步地,所述的pad尺寸根据测试需要来确定,或者是制备各种不同尺寸大小的pad予以保存,在测试时根据实际需要选择合适尺寸的pad来使用。

进一步地,采用湿法腐蚀的方法去除氧化膜,pad由于失去载体而掉落。

进一步地,所述的pad材质为Al,或者W,或者Pt。

进一步地,利用静电针把pad放置于需要的地方,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。

进一步地,测试完成之后,利用FIB切断pad与信号线的连接,使用静电针将pad回收保存,以便下次再用。

本发明所述的芯片测试方法,可以节省淀积pad的时间,pad还能反复利用,节约了时间成本和材料成本。

附图说明

图1是利用淀积pt金属pad然后进行FIB连线的测试图。

图2是本发明在氧化膜上淀积形成金属pad的示意图。

图3是本发明利用形成的金属pad进行FIB连线并测试的示意图。

图4是本发明测试完成之后切断连线将pad回收保存的示意图。

具体实施方式

本发明所述的一种芯片测试方法,首先,在一层氧化膜上形成一个或者多个标准尺寸及厚度的pad,比如长×宽×厚度为30μm×30μm×1μm。如图2所示,图中在氧化膜上一次制作了多个pad。具体根据测试需要来确定,或者是制备各种不同尺寸大小的pad予以保存,在测试时根据实际需要选择合适尺寸的pad来使用。pad材质为Al,或者W,或者Pt。

然后,采用湿法腐蚀的方法去除氧化膜,pad由于失去载体而掉落。利用静电探针将pad拾起并保存。

在测试的时候,利用静电针把pad放置于需要的地方,如图3所示,利用FIB将pad固定,并将pad于需要测试的信号线连接起来。然后使用测试探针打在pad上,输入测试信号进行正常的芯片测试。

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