[发明专利]校准片及基于该校准片对固态微波器件测试系统校准的方法

说明书

本发明公开了一种校准片及基于该校准片对固态微波器件测试系统校准的方法，本发明通过将水平薄膜电阻进行蛇形布线，或者通过将垂直薄膜电阻设置为多段并联的薄膜电阻，以使水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r大于4:1或小于1:4，从而实现高驻波比的标准片。

技术领域

本发明涉及固态微波器件计量测试技术领域，特别是涉及一种大驻波比校 准片及基于该校准片对固态微波器件测试系统进行校准的方法。

背景技术

现有同轴或波导校准件，由于制作工艺等原因，只具备VSWR＝1.1、1.5、 2.0三种标称值的同轴驻波比校准片，而不具备VSWR≥2的大驻波比校准件。 例如，美国Maury公司相关产品，采用失配负载制作，只具备VSWR＝1.1、1.5、 2.0三种标称值的同轴驻波比校准件。同时也缺乏VSWR≥2的大驻波比校准片。 缺乏大驻波比同轴校准件导致封装后器件的微波有源电参数测试系统只能进 行驻波比VSWR≤2的直通校准，而不能进行VSWR≥2的大驻波比校准；缺乏大 驻波比校准片导致未封装裸芯片的在片测试系统只能进行驻波比VSWR≤2的直 通校准，而不能进行VSWR≥2的大驻波比校准，大驻波比条件是该测试系统通常使用的工作条件，校准条件与使用条件不一致，导致校准精度不高，量程不 覆盖。

也就是说，现有技术中不能制作VSWR≥2的大驻波比校准片以及大驻波比 同轴校准件。

发明内容

本发明提供了一种基于大驻波比的校准片，以及在此基础上封装得到的同 轴大驻波比校准件，在片测试系统，以及对封装后器件的微波有源电参数测试 系统进行校准方法，以解决现有技术不能制作驻波比VSWR≥2的大驻波比校准 片的问题。

本发明第一实施例提供了一种大驻波比的校准片，包括：共面波导型平衡 电桥结构和微带电路型平衡电桥结构；

所述共面波导型平衡电桥结构和所述微带电路型平衡电桥结构内均设置 中间岛；

所述中间岛，水平方向，分别通过两个水平薄膜电阻与微波输入输出信号 线连接，垂直方向，分别通过两个垂直薄膜电阻与共面波导地或微带地连接；

通过调整水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r得到大驻波比的校准片。

可选地，所述水平薄膜电阻采用蛇形布线，以使水平薄膜电阻与垂直薄膜 电阻的比值r大于4:1；

所述垂直薄膜电阻为预设宽度的多个并联的薄膜电阻，该薄膜电阻被分割 为多段并联的薄膜电阻，以使水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r小于1:4。

可选地，所述中间岛为一个金属区域。

可选地，所述水平薄膜电阻采用蛇形布线，具体包括：所述中间岛与信号 线之间的水平薄膜电阻为弯曲的折线设置。

可选地，所述多个并联的薄膜电阻之间间隔预定宽度的空隙。

可选地，还包括：对所述标准片进行同轴封装。

可选地，所述对所述标准片进行同轴封装，具体包括：将标准样片焊接到 微带电路上，经微带电路进行阻抗匹配后连接封装腔体的同轴接头。

本发明第二实施例提供一种对固态微波器件测试系统进行校准方法，所述 方法应用上述任意一种所述的标准片对固态微波器件测试系统进行校准；

所述固态微波器件测试系统包括对裸芯片的片测试系统，以及针对封装后 器件的同轴或波导测试系统。

可选地，所述校准方法包括对所述固态微波器件测试系统进行基波及谐波 调配范围校准方法、插入损耗校准方法、矢量一致性校准方法、谐波串扰校准 方法和驻波比测试校准方法。

可选地，所述基波及谐波调配范围校准方法包括：将阻抗调配器的基波、 谐波都设置为最大反射系数状态；