[发明专利]校准片及基于该校准片对固态微波器件测试系统校准的方法

权利要求书

1.一种大驻波比的校准片，其特征在于，包括：共面波导型平衡电桥结构和微带电路型平衡电桥结构；

所述共面波导型平衡电桥结构和所述微带电路型平衡电桥结构内均设置中间岛；

所述中间岛，水平方向，分别通过两个水平薄膜电阻与微波输入输出信号线连接，垂直方向，分别通过两个垂直薄膜电阻与共面波导地或微带地连接；

通过调整水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r得到大驻波比的校准片。

2.根据权利要求1所述的校准片，其特征在于，

所述水平薄膜电阻采用蛇形布线，以使水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r大于4:1；

和/或，

所述垂直薄膜电阻为预设宽度的多个并联的薄膜电阻，该薄膜电阻被分割为多段并联的薄膜电阻，以使水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r小于1:4。

3.根据权利要求1所述的校准片，其特征在于，

所述中间岛为一个金属区域。

4.根据权利要求2所述的校准片，其特征在于，所述水平薄膜电阻采用蛇形布线，具体包括：

所述中间岛与信号线之间的水平薄膜电阻为弯曲的折线设置。

5.根据权利要求2所述的校准片，其特征在于，

所述多个并联的薄膜电阻之间间隔预定宽度的空隙。

6.根据权利要求1或2所述的校准片，其特征在于，还包括：

对所述标准片进行同轴封装。

7.根据权利要求6所述的校准片，其特征在于，所述对所述标准片进行同轴封装，具体包括：

将标准样片焊接到微带电路上，经微带电路进行阻抗匹配后连接封装腔体的同轴接头。

8.一种对固态微波器件测试系统进行校准方法，其特征在于，所述方法应用权利要求1-7中任意一项所述的标准片对固态微波器件测试系统进行校准；

所述固态微波器件测试系统包括对裸芯片的片测试系统，以及针对封装后器件的同轴或波导测试系统。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述校准方法包括对所述固态微波器件测试系统进行基波及谐波调配范围校准方法、插入损耗校准方法、矢量一致性校准方法、谐波串扰校准方法和驻波比测试校准方法。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述基波及谐波调配范围校准方法包括：将阻抗调配器的基波、谐波都设置为最大反射系数状态；

所述插入损耗校准方法，通过在比较系统中插入阻抗调配器，以及未插入阻抗调配器，对校准片的测量结果进行校准；

所述矢量一致性校准方法，将系统中的阻抗调配器设置为VSWR≥4的大驻波比状态下进行校准；

所述谐波串扰校准方法，在系统中的阻抗调配器基波和谐波均设置为VSWR≥4的大驻波比状态，通过扫描谐波相位进行校准；

所述驻波比校准方法，通过比较插入阻抗调配器，以及未插入阻抗调配器，大驻波比校准片或大驻波比同轴校准件的测量结果进行校准。