[发明专利]一种带有双栅的变K槽型LDMOS在审
| 申请号： | 201810695355.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108666365A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 吴丽娟;朱琳;黄也;吴怡清;张银艳;雷冰 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比导通电阻 漂移区 双栅 槽型 耐压 半导体功率器件 功率半导体器件 传统结构 电流提供 调制器件 横向高压 击穿电压 降低器件 浓度降低 提升器件 电场 等势线 双介质 引入 折叠 导通 沟道 双槽 垂直 体内 延伸 | ||
1.一种带有双栅的变K槽型LDMOS，其元胞结构包括P型衬底11、SiO2埋氧层21、N型漂移区31，N型漂移区31包括第一低K介质槽41、第二低K介质槽42，第一SiO2介质槽61、第二SiO2介质槽62、高浓度掺杂P条14、P阱区13。
2.根据权利要求1所述P阱区13包括P型重掺杂区12和第一N型重掺杂区33与第二N型重掺杂区34，其上端是源端电极53，其左端是第一栅低K薄层43和第一栅电极52，其右端是第二栅低K薄层44和第二栅电极54。
3.根据权利要求1所述的第一栅电极52与第一低K介质槽41连接，第二栅电极54与第二低K介质槽42连接。
4.根据权利要求1所述第一低K介质槽41下端与第一SiO2介质槽61连接，第二低K介质槽42下端与第二SiO2介质槽62连接，第一栅电极52和源端电极53通过介质层24隔离，第二栅电极54和源端电极53通过介质层25隔离。
5.根据权利要求1所述第一低K介质槽41左侧与第三N型重掺杂32相连，第二低K介质槽42右侧与第四N型重掺杂35相连。
6.根据权利要求1所述的一种带有双栅的变K槽型LDMOS，其特征在于：所述第三N型重掺杂区32上端设置有第一漏电极51，第四N型重掺杂区35上端设置有第二漏电极55。
7.根据权利要求1所述第一漏电极51和第一栅电极52之间通过介质层22隔离，第二漏电极55和第二栅电极54之间通过介质层23隔离。
8.根据权利要求1所述的一种带有双栅的变K槽型LDMOS，其特征在于：所述P阱区1下端与高浓度P型掺杂条14连接。
9.根据权利要求1所述的一种带有双栅的变K槽型LDMOS，其特征在于：所述SiO2埋氧层21和N型漂移区31与P型衬底11连接。
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