[发明专利]半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体模块，具备：

半导体元件；

第1基底基板，具有导电性，供上述半导体元件载置；

第2基底基板，具有导电性，面积比上述第1基底基板的面积大；

散热片，固定于上述第2基底基板；以及

绝缘片，面积比上述第1基底基板的面积大，配置于上述第1基底基板与上述第2基底基板之间，

上述绝缘片是含有热传导率高的填料的树脂，具有被上述第1基底基板与上述第2基底基板夹着的第1部分、和除上述第1部分之外的第2部分，上述第1部分的第1厚度与上述第2部分的第2厚度实质上相等，

上述绝缘片的上述第2部分具有效仿了上述第2基底基板的外周部的凹凸的凹凸。

2.如权利要求1所述的半导体模块，其中，

上述绝缘片比上述第1基底基板突出了爬电距离的大小以上，上述爬电距离用于确保上述第1基底基板与上述散热片之间的沿面耐压。

3.如权利要求1或2所述的半导体模块，其中，

上述绝缘片的上述第1部分紧贴于上述第1基底基板以及上述第2基底基板，上述第2部分紧贴于上述第2基底基板。

4.一种半导体模块的制造方法，包括如下工序：

准备具有导电性的第1基底基板、具有导电性且面积比上述第1基底基板的面积大且外周部具有凹凸的第2基底基板、面积比上述第1基底基板的面积大且含有热传导率高的填料的绝缘片、以及具有与上述第1基底基板相等的厚度且具有效仿了上述第2基底基板的外周部的凹凸的凹凸的虚拟基板；

在上述第2基底基板上依次重叠上述绝缘片以及上述第1基底基板，并且在上述绝缘片上以包围上述第1基底基板的方式配置上述虚拟基板；

在用上述第2基底基板、和上述第1基底基板以及上述虚拟基板夹着上述绝缘片的状态下，进行加热及加压，在上述绝缘片上形成平坦的第1部分及厚度与上述第1部分的实质上相等且具有凹凸的第2部分，将上述第1基底基板与上述第2基底基板接合，上述第2部分的凹凸效仿了上述第2基底基板的外周部的凹凸；

将上述虚拟基板除去；

在上述第2基底基板的与上述绝缘片侧相反的一侧的面上接合散热片；以及

在上述第1基底基板的与上述绝缘片侧相反的一侧的面上接合半导体元件。

5.如权利要求4所述的半导体模块的制造方法，其中，

上述绝缘片比上述第1基底基板突出了爬电距离的大小以上，上述爬电距离用于确保上述第1基底基板与上述散热片之间的沿面耐压。

6.如权利要求4或5所述的半导体模块的制造方法，其中，

在上述虚拟基板的与上述第2基底基板对置的面上形成有对上述绝缘片具有脱模作用的保护膜。

7.如权利要求4或5所述的半导体模块的制造方法，其中，

作为上述虚拟基板，配置沿上述第1基底基板的外周面抵接的多个虚拟块。

8.如权利要求6所述的半导体模块的制造方法，其中，

作为上述虚拟基板，配置沿上述第1基底基板的外周面抵接的多个虚拟块。