[发明专利]静电放电保护电路在审
| 申请号： | 201810691993.X | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108878416A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 贺吉伟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电放电保护电路 电源端 接地端 电容 电阻 防静电性能 触发电路 触发电压 电容连接 电阻连接 源极连接 栅极电压 漏极 响应 | ||
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：NMOS管、电容和电阻；所述NMOS管的栅极通过所述电容连接到电源端，所述NMOS管的栅极通过所述电阻连接到接地端，所述NMOS管的源极连接电源端，所述NMOS管的漏极连接接地端。
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述电容为PMOS管，其中，所述PMOS管的栅极作为所述电容的一端与所述NMOS管的栅极相连，所述PMOS管的源极、漏极和阱三端短接作为所述电容的另一端接电源端。
3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述PMOS管的阱与所述NMOS管的阱在工作状态时形成反向PN结隔离。
4.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述电阻为P型多晶硅电阻。
5.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述P型多晶硅电阻的宽度在0.5微米至1微米之间。
6.如权利要求1至5任意一项所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述电阻和所述电容的时间常数在10纳秒至500纳秒之间。
7.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述电阻和所述电容的时间常数为100纳秒。
8.如权利要求1至5任意一项所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述电阻的阻值在20千欧至500千欧之间。
9.如权利要求1至5任意一项所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述电容的电容值在0.2皮法至5皮法之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
