[发明专利]CMOS图像传感器晶圆的设计方法

说明书

本发明提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，包括：提供设置有若干图像传感器的晶圆；所述相邻的图像传感器具有切割道，所述切割道上有用于测试的焊盘；于所述焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙；在晶圆切割工艺过程中，沿所述焊盘间隙进行切割。本发明的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，通过在焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙，使得晶圆切割工艺过程中，沿着焊盘间隙进行切割，降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法。

背景技术

目前，在CMOS图像传感器制造过程中，通常在晶圆上设置有若干图像传感器，相邻的图像传感器具有切割道，切割道上有用于测试的焊盘，在晶圆切割工艺过程中，沿切割道进行切割，形成单个的图像传感器芯片。

现有技术中，主要采用传统机械切割方式切割晶圆，然而，该切割方式的成本较高，成本控制方面难有较大的缩减空间，激光隐形切割技术（激光隐切）的成本大致为传统机械切割方式的60%，然而，由于晶圆厚度大、焊盘金属硬度高等原因，激光隐切方式应用于CMOS图像传感器制造过程的工艺难度较大，产品质量难以保证。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，包括：提供设置有若干图像传感器的晶圆；所述相邻的图像传感器具有切割道，所述切割道上有用于测试的焊盘；于所述焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙；在晶圆切割工艺过程中，沿所述焊盘间隙进行切割。

优选的，通过激光隐切方式沿焊盘的中间区域切割所述晶圆。

优选的，在刻蚀焊盘的同时形成所述焊盘的间隙。

优选的，在所述刻蚀焊盘过程中，通过控制所述间隙宽度，使得间隙没有完全刻透，使得间隙两侧的金属电学连通。

优选的，所述焊盘的间隙通过版图设计来实现，并且间隙的方向和所处的切割道的方向一致。

优选的，所述间隙贯穿整个焊盘，或者，所述间隙是非连续的，中间由金属间隔开。

优选的，所述焊盘由多层金属构成，其中至少一层具有所述间隙设计。

优选的，切开所述晶圆的全部或部分厚度，晶圆进行扩膜形成单个的图像传感器芯片。

优选的，所述焊盘间隙的宽度小于焊盘测试的探针直径，保证焊盘与探针的电性连接。

本发明的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，通过在焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置间隙，使得晶圆切割工艺过程中，沿着焊盘间隙进行切割，降低工艺难度，节省制造成本，提高产品良率。

附图说明

图1为根据本发明一个实施例的CMOS图像传感器的俯视示意图；

图2为沿图1中B-B线的剖视示意图；

图3为根据本发明一个实施例的CMOS图像传感器的局部示意图；

图4为根据本发明另一实施例的CMOS图像传感器的局部示意图；

图5为根据本发明又一实施例的CMOS图像传感器的局部示意图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。