[发明专利]CMOS图像传感器晶圆的设计方法有效
| 申请号： | 201810687843.1 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660815B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰;侯欣楠;石金川 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 设计 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，包括：
提供设置有若干图像传感器的晶圆；相邻的所述图像传感器具有切割道，所述切割道上有用于测试的焊盘；
于所述焊盘对应于切割道的部分区域或全部区域设置用于分离相邻的所述图像传感器的间隙，并且在刻蚀焊盘的同时形成未完全刻透所述焊盘的间隙；
在晶圆切割工艺过程中，通过激光隐切方式沿所述焊盘间隙进行切割。
2.如权利要求1的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，沿焊盘的中间区域切割所述晶圆。
3.如权利要求2的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，在所述刻蚀焊盘过程中，通过控制所述间隙宽度，使得间隙没有完全刻透，使得间隙两侧的金属电学连通。
4.如权利要求1的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，所述焊盘的间隙通过版图设计来实现，并且间隙的方向和所处的切割道的方向一致。
5.如权利要求1的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，所述间隙贯穿整个焊盘，或者，所述间隙是非连续的，中间由金属间隔开。
6.如权利要求1的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，所述焊盘由多层金属构成，其中至少一层具有所述间隙设计。
7.如权利要求1的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，切开所述晶圆的全部或部分厚度，晶圆进行扩膜形成单个的图像传感器芯片。
8.如权利要求1的CMOS图像传感器晶圆的设计方法，其特征在于，所述焊盘间隙的宽度小于焊盘测试的探针直径，保证焊盘与探针的电性连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
