[发明专利]执行UV辅助擦除操作的存储器件

说明书

一种非易失性存储器件包括：多个字线，其被层叠；柱体结构，其在垂直方向上穿过字线；以及电压供给器，其适用于将根据操作模式而需要的多个偏压供给到字线和柱体结构。柱体结构包括：垂直沟道区，其被设置在核心区中；以及激光二极管结构，其被设置在字线与垂直沟道区之间以围绕垂直沟道区的外围。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月29日提交的名称为“UV ERASABLE 3D NAND SCHEME”的美国临时专利申请No.62/526,627的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，并且更具体地，涉及一种执行UV辅助擦除操作的非易失性存储器件。

背景技术

由于近来计算环境的变化，便携式电子设备(诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑)的使用迅速增加。这些便携式电子设备通常使用具有存储器件(即，数据储存器件)的存储系统。数据储存器件被用作便携式电子设备的主存储器件或辅助存储器件。

使用存储器件的数据储存器件由于没有移动部件而提供良好的稳定性、耐用性、高信息访问速度和低功耗。具有这些优点的数据储存器件的示例包括通用串联总线(USB)存储器件、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。

发明内容

各种实施例针对一种非易失性存储器件，其能够通过执行UV辅助擦除操作来提供较低擦除偏压和较短擦除操作时间。

此外，各种实施例针对一种非易失性存储器件，其能够通过执行UV辅助擦除操作来排斥在栅极电介质结构中俘获的电荷。

在一个实施例中，非易失性存储器件包括：层叠的多个字线；柱体结构，其在垂直方向上穿过字线；以及电压供给器，其适用于将根据操作模式而需要的多个偏压供给到字线和柱体结构。柱体结构包括：垂直沟道区，其被设置在核心区中；以及激光二极管结构，其被设置在字线与垂直沟道区之间以围绕垂直沟道区的外围。

在一个实施例中，非易失性存储器件包括：层叠的多个字线；柱体结构，其在垂直方向上穿过字线；以及基于氮化镓(GaN)的激光二极管结构，其被设置为围绕垂直沟道区并且在擦除操作期间发射紫外光。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的包括存储系统的数据处理系统的示图。

图2是示出图1所示的存储系统中的存储器件的示图。

图3是示出根据一个实施例的存储器件中的存储块的电路图。

图4至图11是示意性地示出图2所示的存储器件的示图。

图12是示出根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件的示图。

图13是示出图12所示的非易失性存储器件的改进示例的示图。

图14至图22是示意性地示出根据本发明的各种实施例的图1所示的数据处理系统的示例性应用的示图。

具体实施方式

下面将参考附图更详细地描述各种实施例。然而，本发明可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，在本发明的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部件。

图1是示出根据一个实施例的包括存储系统的数据处理系统的框图。

参考图1，数据处理系统100可以包括主机102和存储系统110。

主机102可以包括：例如，诸如移动电话、MP3播放器和膝上型电脑的便携式电子设备，或者诸如台式电脑、游戏机、电视机和投影仪的电子设备。