[发明专利]执行UV辅助擦除操作的存储器件有效
| 申请号： | 201810686765.3 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109216370B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 吴真用 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;厉锦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 执行 uv 辅助 擦除 操作 存储 器件 | ||
1.一种非易失性存储器件，包括：
层叠的多个字线；
柱体结构，其在垂直方向上穿过字线；以及
电压供给器，其适用于将根据操作模式而需要的多个偏压供给到字线和柱体结构，
其中，柱体结构包括：
垂直沟道区，其被设置在核心区中；以及
激光二极管结构，其被设置在字线与垂直沟道区之间以围绕垂直沟道区的外围。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，激光二极管结构包括：
n型III-V族化合物层和p型III-V族化合物层，其被设置为顺序地围绕垂直沟道区。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，激光二极管结构包括：
n型GaN层和p型GaN层，其被设置为顺序地围绕垂直沟道区。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，垂直沟道区包括硅层。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，p型GaN层具有轻掺杂p区和本征区。
6.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，在擦除操作期间，擦除偏压被施加到p型GaN层并且接地电压被施加到n型GaN层。
7.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，还包括：
栅极电介质结构，其被设置在字线与激光二极管结构之间。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，栅极电介质结构包括：
隧穿电介质层、电荷俘获层和阻挡电介质层，其顺序地围绕柱体结构中的激光二极管结构。
9.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，栅极电介质结构包括：
隧穿电介质层和电荷俘获层，其顺序地围绕柱体结构中的激光二极管结构；以及
阻挡电介质层，其被设置在柱体结构与字线之间。
10.一种非易失性存储器件，包括：
层叠的多个字线；
柱体结构，其在垂直方向上穿过字线；以及
基于GaN的激光二极管结构，其被设置为围绕垂直沟道区并且在擦除操作期间发射紫外光。
11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，激光二极管结构包括：
n型GaN层和p型GaN层，其被设置为顺序地围绕垂直沟道区。
12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，垂直沟道区包括硅层。
13.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，p型GaN层具有轻掺杂p区和本征区。
14.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，在擦除操作期间，擦除偏压被施加到p型GaN层并且接地电压被施加到n型GaN层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
