[发明专利]Sn20

说明书

本发明提供一种Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料，其为多层复合膜结构，由Sn₂₀Sb₈₀层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn₂₀Sb₈₀层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn₂₀Sb₈₀层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn₂₀Sb₈₀层是以Sn₂₀Sb₈₀靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；所述Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn₂₀Sb₈₀(a)/Si(b)]_x表示，其中a为单层Sn₂₀Sb₈₀层的厚度，a＝1nm～50nm；b为单层Si层的厚度，b＝1nm～50nm，x为Sn₂₀Sb₈₀层和Si层的交替周期数，x为正整数。本发明提供的Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料能够改善现有存储器的热稳定性和操作功耗。

技术领域

本发明涉及微电子材料领域，特别涉及一种Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料。

背景技术

相变存储技术是一种应用硫系化合物材料来存储数据的随机存储技术，基本原理是利用电能或者光能致使材料在晶态(低阻/高反射率)与非晶态(高阻/低反射率)之间互逆转换从而实现信息的写入与擦除，信息的读出则依靠测量晶态与非晶态之间电阻或反射率的显著差异而实现。相变存储器因同时具备低功耗、抗辐照、高密度、高速擦写、高循环次数以及与集成电路硅工艺的良好匹配性能等优点，被广泛认为是取代Flash等存储器的下一代非易失性随机存储器。对各类相变存储材料的研究表明，Ge₂Sb₂Te₅化合物被认为是最合适的相变材料，已在可擦写光盘等产业中得到了广泛应用。随着相变存储器的快速发展，近年来越来越多基于Ge₂Sb₂Te₅的新材料开始被广泛研究。

传统相变材料(如Ge₂Sb₂Te₅)存在一些问题，如热稳定性低，功耗偏高，结晶速度较慢等，所以针对不同应用迫切需要新型相变存储材料。

因此，如何开发出一种能够改善现有存储器热稳定性和操作功耗的新型相变存储材料，成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料，所述 Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料为多层复合膜结构，由Sn₂₀Sb₈₀层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn₂₀Sb₈₀层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的 Sn₂₀Sb₈₀层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn₂₀Sb₈₀层是以Sn₂₀Sb₈₀靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；