[发明专利]Sn20

权利要求书

1.一种Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料，其特征在于，Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料为多层复合膜结构，由Sn₂₀Sb₈₀层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn₂₀Sb₈₀层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn₂₀Sb₈₀层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn₂₀Sb₈₀层是以Sn₂₀Sb₈₀靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；

所述Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn₂₀Sb₈₀(a)/Si(b)]表示，其中a为单层Sn₂₀Sb₈₀层的厚度，a＝3nm～6nm；b为单层Si层的厚度，b＝4nm～7nm，x为Sn₂₀Sb₈₀层和Si层的交替周期数，x为正整数；

所述Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料的总厚度的数值根据(a+b)*x计算所得；所述Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料的总厚度为50nm；

Sn₂₀Sb₈₀层中含有Sn和Sb两种元素，Sn和Sb的原子比为20∶80。

2.一种根据权利要求1所述的Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Sn₂₀Sb₈₀靶材和Si靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

③磁控溅射制备[Sn₂₀Sb₈₀(a)/Si(b)]多层相变薄膜：

a、将空基托旋转到Sn₂₀Sb₈₀靶位，打开Sn₂₀Sb₈₀靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对Sn₂₀Sb₈₀靶材表面进行溅射，清洁Sn₂₀Sb₈₀靶位表面；

b、Sn₂₀Sb₈₀靶位表面清洁完成后，关闭Sn₂₀Sb₈₀靶位上所施加的射频电源，将空基托旋转到Si靶位，开启Si靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对Si靶材表面进行溅射，清洁Si靶位表面；

c、将已经溅射了GeTe层的基片旋转到Sb靶位，开启Sb靶位上的射频电源，溅射结束后得到Sb层；Si靶位表面清洁完成后，将待溅射的基片旋转到Sn₂₀Sb₈₀靶位，打开Sn₂₀Sb₈₀靶位上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Sn₂₀Sb₈₀薄膜；

d、Sn₂₀Sb₈₀薄膜溅射完成后，关闭Sn₂₀Sb₈₀靶上所施加的射频电源，将基片旋转到Si靶位，开启Si靶位射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Si薄膜；

e、重复上述步骤c、d，溅射结束得到Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料。