[发明专利]一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法

说明书

本发明涉及纳米晶屏蔽片制备领域，公开了一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括：1）退火；2）碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理；3）绝缘化填充：将纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中；4）贴合；5）等静压：将多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；置于水中等静水压处理。本发明采用填充纳米级固体绝缘粉的方式，对碎片化后的纳米晶屏蔽片进行绝缘性处理，能够进一步降低纳米晶屏蔽片的Rs、涡流损耗，提高纳米晶屏蔽片的品质因数和充电效率。

技术领域

本发明涉及纳米晶屏蔽片制备领域，尤其涉及一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法。

背景技术

随着手机无线充电朝着快充领域领用的发展，充电电流加大，原有铁氧体方案在不增加厚度的情况下，在使用时存在饱和特性，存在整体接收端效率下降和磁通穿透屏蔽片影响后面其它电路的问题。而多层纳米晶磁片的高Bs和高导磁特性可以在大功率无线充电应用环境下发挥优势。纳米晶隔磁片具有优良磁性能，磁导率高，Rs小，损耗小，为磁力线提供了有效的途径，大量的磁通可以顺利流经隔磁片，极小部分残余磁通可以流经金属表面，产生涡流热效应。

在现有技术中，纳米晶屏蔽片在碎片化后一般都会采用液体浸胶的方式将绝缘介质(液态有机绝缘树脂)渗透进入纳米晶屏蔽片的裂纹中，以提高绝缘性。但是本发明团队经验研究后发现这种方法制得的纳米晶屏蔽片对于品质因子等性能的提升有限，目前已无法彻底满足对于高性能纳米晶屏蔽片的要求。因此有必要开发出一种新的纳米晶屏蔽片表面处理工艺。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，本发明采用填充纳米级固体绝缘粉的方式，对碎片化后的纳米晶屏蔽片进行绝缘性处理，能够进一步降低纳米晶屏蔽片的Rs、涡流损耗，提高纳米晶屏蔽片的品质因数和充电效率。

本发明的具体技术方案为：一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：

1)退火：对纳米晶屏蔽片进行退火处理。

2)碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理，使纳米晶屏蔽片表面产生裂纹。

3)绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中。

4)贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材或无基材的双面胶，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸。

5)等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；然后置于水中进行等静水压处理，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。

在现有技术中，一般在碎片化后采用液体浸胶的方式将绝缘介质(液态有机绝缘树脂)渗透进入屏蔽片的裂纹中，以提高绝缘性。而本发明采用固体填充的方式，在超声辅助下将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中，再用水等静压的方式将双面胶充分压入裂纹中，使得纳米级固体绝缘粉末在裂纹中得到固定。在此工艺中，在等静压下屏蔽片裂纹中气泡被排除以利于双面胶的渗入。

目前现有技术采取液体浸渍方式，在使用有机溶剂作为溶剂过程中，溶解部分粘性胶，造成了粘性胶粘性下降(900g粘度下降至300g)，高低温-55℃～85℃试验时，胶层脱离，使纳米晶磁片从无线充电模组中脱离出来。同时液体浸渍方式，烘干有机溶剂过程中，废气处理困难大，容易对空气造成污染。