[发明专利]一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法

权利要求书

1.一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：

1）退火：对纳米晶屏蔽片进行退火处理；

2）碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理，使纳米晶屏蔽片表面产生裂纹；

3）绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中；

4）贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材或无基材的双面胶，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸；

5）等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；然后置于水中进行等静水压处理，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。

2.如权利要求1所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤1）中，退火工艺为500-600℃，保温60-120min。

3.如权利要求1或2所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤2）中，碎片化时两辊间压力100-300kg。

4.如权利要求1或2所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，所述纳米级固体绝缘粉末为二氧化硅、氧化锆或氧化铝。

5.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，所述纳米级固体绝缘粉末的温度为19-45℃。

6.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，超声频率为28-40kHz。

7.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，纳米晶屏蔽片的输送速度为1-3m/min。

8.如权利要求1所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤4）中，所述双面胶的厚度为3-12μm，所述黑色单面胶的厚度为3-12μm。

9.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤5）中，水温为25~60℃，保压时间为25-30min。

10.如权利要求1所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤4）中，纳米晶屏蔽片首次贴附双面胶时，采用纳米晶屏蔽片的贴合装置，所述贴合装置包括机架（1）以及设于机架上的主驱动电机（2）、控制台（3）、电箱（4）；机架上按贴合工序还依次设有胶带传输机构、胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构；所述主驱动电机用于驱动胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构，所述电箱和控制台用于控制整台贴合装置的运作。